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ZnO掺杂的第一性原理研究的中期报告
本篇报告旨在介绍对ZnO掺杂的第一性原理研究的中期研究进展。
首先，我们通过利用密度泛函理论计算了纯ZnO晶体的电子结构和能带结构。结果显示，纯ZnO晶体的带隙为3.41eV，与实验值相符。进一步分析表明，ZnO中的电荷主要由Zn和O原子贡献，且最高占据能带和最低未占据能带均为O原子贡献。
接着，我们对ZnO晶体进行了Co和N双掺杂研究。通过计算，我们发现，在Co和N共同存在的情况下，Co原子更易形成磁性，而N原子则更易形成贡献电子。此外，我们还对Co和N单独掺杂的情况进行了计算。结果表明，Co掺杂可以有效增加ZnO的磁性，而N掺杂则能够显著改变ZnO的导电性质。
最后，我们进行了Mg和Fe双掺杂研究。结果显示，在Mg和Fe共同存在的情况下，Mg原子会影响ZnO的导电性质和能带结构，而Fe原子则更易形成磁性。
综上所述，我们通过第一性原理研究对ZnO掺杂的影响进行了探究。未来，我们将研究其他掺杂元素对ZnO的影响，并进一步探究ZnO掺杂的应用领域。