Ga2O3薄膜及其Mg掺杂的磁控溅射制备与性质研究的任务书.docx
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Ga2O3薄膜及其Mg掺杂的磁控溅射制备与性质研究的任务书.docx
Ga2O3薄膜及其Mg掺杂的磁控溅射制备与性质研究的任务书任务书一、任务概述:随着电子行业的不断发展,半导体材料的需求不断增加。而Ga2O3(氧化镓)材料具有较高的能带宽度、较高的电子迁移率、较高的载流子浓度、较高的肖特基势垒高度等优良的性质,因而成为近年来最具前途的一种新型半导体材料之一。该材料具有重要的应用价值,例如太阳能电池、固态照明、高功率电子器件等。同时,Mg掺杂的Ga2O3材料还可以用于制备磁性材料。本研究拟采用磁控溅射方法制备Ga2O3薄膜,并探究Mg掺杂的对其性质的影响,旨在为该材料的应用
Ga2O3薄膜及其Mg掺杂的磁控溅射制备与性质研究的开题报告.docx
Ga2O3薄膜及其Mg掺杂的磁控溅射制备与性质研究的开题报告一、选题背景及研究意义氧化镓(Ga2O3)是一种重要的宽禁带半导体材料,具有良好的光电性能和热稳定性,可以应用于高电压、高功率设备、显示器件、紫外探测器等领域。然而,纯Ga2O3薄膜具有较高的电阻率和禁带宽度,限制了其性能的发挥。掺杂是改善这些不足的有效途径之一。与此同时,由于Mg在Ga2O3中的高扩散系数和低活化能,Mg掺杂可以改变薄膜的电学、光学和磁学性质。加入Mg后的Ga2O3薄膜具有更低的电阻率、更广的光谱范围和更好的磁性能,可以为新型光
射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜的研究.docx
射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜的研究射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜的研究摘要:本研究使用射频磁控溅射法制备了Mg掺杂的Ga2O3薄膜,并对其结构、光学性质和电学性质进行了系统的表征。结果表明,Mg掺杂使得Ga2O3晶胞参数发生略微改变,晶格略微拉伸。光学性质方面,Mg掺杂使得Ga2O3薄膜的带隙发生明显变化,且出现明显的吸收峰。电学性质方面,Mg掺杂使得Ga2O3薄膜的导电性显著提高。关键词:射频磁控溅射;Mg掺杂;Ga2O3薄膜;结构;光学性质;电学性质1.引言Ga2O3作为一种广泛
Li、Na与Mg共掺杂ZnO薄膜的制备与性质研究的任务书.docx
Li、Na与Mg共掺杂ZnO薄膜的制备与性质研究的任务书一、任务背景ZnO材料因其宽带隙、高透明度、低成本等优异特性而成为研究热点。其用于电子器件、光电器件、光催化等领域,具有广泛的应用前景。然而,ZnO在制备过程中往往伴随着一些缺陷,例如缺乏氮和锂等缺陷物质,使其电学和光学性质变差。因此,通过掺杂其他元素来改善ZnO的性质就成为了许多学者的关注焦点。Li、Na、Mg作为常见的烷基金属元素,在稀有硫化物、薄膜材料和半导体领域中都得到了广泛的应用。近年来,有研究表明掺杂Li、Na、Mg等元素的ZnO材料具有
Li、Na与Mg共掺杂ZnO薄膜的制备与性质研究.docx
Li、Na与Mg共掺杂ZnO薄膜的制备与性质研究摘要本研究以Li、Na、Mg共掺杂ZnO薄膜为研究对象,研究了掺杂对ZnO薄膜的晶体结构、光学性质和电学性质的影响。结果表明,掺杂后的ZnO薄膜晶体结构没有发生改变,但光学性质和电学性质发生了较大变化,其中Li掺杂ZnO薄膜的电学性能最优,Na掺杂ZnO薄膜的光电性能较好,而Mg掺杂ZnO薄膜的稳定性较高。本研究结果对于制备高性能的ZnO薄膜具有一定的参考价值。关键词:Li、Na、Mg,共掺杂,ZnO薄膜,晶体结构,光学性质,电学性质一、引言ZnO作为一种重