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MOSFET短沟道效应的新二维模型的中期报告
本研究旨在发展新的二维短沟道MOSFET模型，以更准确地描述其电学特性。在中期报告中，我们完成了以下工作：
1.建立了二维短沟道MOSFET的新模型，包括漏电流、臂长度调制和亚阈值斜率等方面的特性。该模型的基本思想是考虑沟道上特定位置的电场和掺杂浓度差异对沟道电流的影响，并将这些参数通过两个协作的对称分段函数进行了建模。
2.研究了沟道影响空间电荷控制效应的情况，并分析了不同沟道长度对电流和电容的影响。我们发现，在较短的沟道长度范围内，电晕控制效应对电容的影响比空间电荷控制效应更突出。
3.进行了建模验证，使用SILVACOTCAD软件进行了模拟实验，比较模型结果和实验数据，并评估模型的可靠性和准确性。结果表明，新模型的预测结果与实验数据吻合度较高，证明了其准确性和适用性。
在接下来的工作中，我们将进一步实现模型优化，包括考虑更多影响因素、开发新的物理方程和优化参数等，以提高该模型的适用性和准确性。同时，我们也将继续进行模拟实验和比较分析，以验证模型的可靠性。