位错反应与层错理论.ppt

位错反应和层错机理面心立方晶体中的典型位错位错反应能否进行取决于两个条件：
①几何条件：反应前的柏氏矢量和等于反应后的柏氏矢量和。①一个位错分解成两个或多个具有不同柏氏矢量的位错，面心立方晶体中一个全位错分解成两个肖克莱不全位错。FCC中，以全位错分解成两个肖克莱位错为例。Thompson四面体：可以帮助确定fcc结构中的位错反应。沿(111)面，定义每个面的中点坐标为：α实例计算用于表示fcc晶体中的位错反应所有希－希向量也都可以根据向量合成规则求得：面心立方中扩展位错的进一步解释：但如果滑移分两步完成，即先从B1位置沿A原子间的“低谷”滑移到邻近的C位置，即；然后再由C滑移到另一个B2位置，即，这种滑移比较容易。每一步滑移造成了层错，因此，层错区与正常区之间必然会形成两个不全位错。故和为肖克莱不全位错。也就是说，一个全位错分解为两个肖克莱不全位错和，全位错的运动由两个不全位错的运动来完成，即2)扩展位错（1）扩展位错的宽度当f与层错能γ相等时，处于平衡

∴扩展位错的宽度:在外力作用下，扩展位错收缩成原来的全位错的过程称为束集。由于扩展位错只能在其所在的滑移面上运动，若要进行交滑移，扩展位错必须首先束集成全螺位错，然后交滑移到面上，重新分解成新的扩展位错，继续运动。扩展位错的交滑移过程（3）位错网络Dislocationnetwork设：反应过程——该扩展位错在各自的滑移面上相向移动，当扩展位错中的一个不全位错到达交线BC时，发生位错反应：面心立方结构中，在和面上有两个全位错b1和b2：两个全位错b1和b2发生分解，形成扩展位错：在外力作用下，两个扩展位错向两个滑移面的交线处滑移。两个领先不全位错b12和b21在交线[110]处相遇，发生合成反应：