漏寄生电阻的二维半解析模型研究与仿真的任务书.docx

SOIMOSFET源/漏寄生电阻的二维半解析模型研究与仿真的任务书
任务书
一、题目
SOIMOSFET源/漏寄生电阻的二维半解析模型研究与仿真
二、背景
在上个世纪90年代初，随着量子效应的逐渐显现，硅器件的设计和制造变得越来越复杂。越来越多的设备厂商开始将工艺从传统的结点尺寸向SOI（SilicononInsulator）技术过渡，以便降低器件间的相互干扰和互穿电路带来的损耗。这种技术的优点是可以降低漏电流，减小导通区的尺寸，提高器件的噪声性能和灵敏度。
SOIMOSFET是状态的形式的导体，其形式为三个联系电极与一个基底形成的四层异质结，一般被用于高速和低功耗应用。其主要优点是具有非常低的漏电流和非常低的互耦合容量。
三、任务
1.调研与学习SOIMOSFET源/漏寄生电阻二维半解析模型的研究现状，了解其理论原理与分析方法。
2.基于所学知识，提出自己的解析模型研究方案，并将方案运用到模拟软件中。研究过程要充分考虑实际情况，包括材料和结构的限制等。
3.分析与比较所提出的解析模型与现有理论模型的优缺点，比较精度以及可行性。在分析论文中要清晰地描述研究方法和结果，给出充分的数据支持。
4.进行相关仿真实验，利用模拟软件对模型进行实验验证与验证结果的分析。实验中要充分考虑并尝试各种参数，如结总电荷、漏源曲线等。
5.根据模型和实验的研究结果，总结出完整的二维半解析模型，同时提出可行的改进方案。
四、参考文献
1.Lu,J.,&Kane,W.J.(1996).AnanalyticalmodelforSOIMOSFETsincludingsource/drainresistance.IEEETransactionsonElectronDevices,43(7),1062-1069.
2.Karmakar,N.C.(1999).ExtractionofsubstratenetworkresistanceinSOIMOSFETs:ananalyticapproach.IEEETransactionsonElectronDevices,46(12),2516-2520.
3.Clemente,F.A.,&Gnani,E.(2000).Asubthresholdtwo-dimensionalanalyticalmodelfordouble-gateSOIMOSFETs.IEEETransactionsonElectronDevices,47(12),2335-2343.
4.Huang,C.F.,&Du,Y.(2005).Aunifiedtwo-dimensionalanalyticalmodelfordouble-gateMOSFETs.IEEETransactionsonElectronDevices,52(6),1155-1161.
5.Wang,W.,Zhang,Y.,Guo,C.,Liu,L.,&Zhou,X.(2019).Surface-Potential-BasedAnalyticalModelforBack-Gate-DielectricDouble-GateSOIMOSFETs.IEEETransactionsonElectronDevices,66(9),3714-3719.
6.Li,Q.,Chen,Y.,Cao,L.,&Pan,J.(2019).UnifiedAnalyticalModelforUndopedSurroundingGateMOSFETsConsideringSource/DrainResistance.IEEETransactionsonElectronDevices,66(11),4844-4850.
7.Lu,J.T.,Huang,Y.,&Zhang,B.(2021).AnImprovedDistributedContactResistanceModelforDouble-GateFinFETsWith/WithoutCladding.IEEETransactionsonElectronDevices,68(1),181-188.
五、要求
1.本次任务需要全面掌握SOIMOSFET源/漏寄生电阻二维半解析模型的研究现状，并熟练掌握相关仿真软件的使用。任务贡献者需要有电子学或微电子学相关专业背景和技能。
2.任务完成后需提交一份详细的论文，并向较高水平的国内电子学期刊投稿。
3.报告时需对任务完成过程、结果和总结进行全面简洁的汇报。
4.完成时间：两个月。
六、任务目标
本次任务旨在研究SOIMOSFET源/漏寄生电阻的二维半解析模型，在掌握其理论原理和分析方法的基础上，提出可行的解析模型研究方案，并将方案运用到仿真软件中。同时要进行相关的仿真实验，对模型进行验证和优化。最终要总结出完整的二维