基于GaAs光电导开关和氧化锌的新型组合开关的实验及机理分析的开题报告.docx

基于GaAs光电导开关和氧化锌的新型组合开关的实验及机理分析的开题报告
一、研究背景及意义
光电导开关广泛应用于微波脉冲较短时间的产生和测量中，并被用于高速电子传输线路、雷达接收机、电子扫描、天线、雷达遥测和数据采集等系统中。氧化锌（ZnO）是一种广泛应用的半导体材料，其具有优秀的光电性能和自身的半导体特性，被广泛应用于光学传感器、电子元件等领域。本文从光电导开关和氧化锌这两个角度出发，将两者结合起来，探究其新型组合开关的实验及机理分析。
二、研究目的
本次研究旨在探究基于GaAs光电导开关和氧化锌的新型组合开关的制备方法及其光电性能，并对其机理进行分析。具体研究目标如下：
1.利用动态光电阻方法研究GaAs光电导开关的开关特性和响应速度。
2.制备氧化锌薄膜并对其光电特性进行研究。
3.制备基于GaAs光电导开关和氧化锌的新型组合开关并研究其光电性能。
4.对新型组合开关的机理进行分析。
三、研究方法或内容
1.动态光电阻方法
动态光电阻方法是研究光电导开关特性的常用方法。本研究将采用该方法，对GaAs光电导开关的开关特性和响应速度进行研究。
2.氧化锌薄膜制备方法
本研究将采用化学气相沉积（CVD）法制备氧化锌薄膜，并对其光电特性进行研究。
3.新型组合开关制备及光电性能研究
将制备的氧化锌薄膜和GaAs光电导开关组合成新型组合开关，并进行光电性能研究。
4.机理分析
对制备的新型组合开关进行机理分析，探究其光电导特性的产生机理。
四、计划进度安排
1.前期准备阶段（1个月）
按照研究目标，收集有关文献资料，确定研究方案和实验设计。
2.动态光电阻实验（2个月）
对GaAs光电导开关进行动态光电阻实验，确定其开关特性和响应速度，为后续研究提供基础数据。
3.氧化锌薄膜制备及光电特性研究（2个月）
采用CVD法在石英基底上制备氧化锌薄膜，并对其光电性能进行研究。
4.新型组合开关制备及光电性能研究（3个月）
将制备的氧化锌薄膜和GaAs光电导开关组合成新型组合开关，并进行光电性能研究。
5.机理分析（1个月）
对制备的新型组合开关进行机理分析，探究其光电导特性的产生机理。
五、预期结果及意义
本研究预期将制备出基于GaAs光电导开关和氧化锌的新型组合开关，并确定其光电性能以及机理。这将对于光电传感器和电子元器件等领域的发展提供一定的理论和实践指导，以及新的研究思路和方向。