高迁移率沟道器件的可靠性及输运特性的研究的任务书.docx

高迁移率沟道器件的可靠性及输运特性的研究的任务书
一、研究背景和意义
高迁移率沟道器件（HighMobilityChannelDevices,HMCDs）因其晶体管性能的优异特性，在射频（Radio-frequency,RF）应用和低功耗处理器领域有着广泛的应用，尤其在物联网、5G等领域发挥着重要的作用。HMCDs具有高迁移率、低电压饱和、高开关速度、低漏电流、低噪声系数等特点，能显著地提高电路性能。因此，HMCDs的可靠性及输运特性的研究具有重要意义，不仅是提高器件的竞争力，也是保证产品稳定性和可靠性的必要手段。
二、研究内容和方法
1.研究内容
（1）HMCDs的电脉冲老化、热老化和吸附效应等方面的可靠性问题；
（2）HMCDs的电压依赖性和温度依赖性等输运特性。
2.研究方法
（1）利用快速的电测试和热测试等，进行HMCDs器件的可靠性测试和分析；
（2）采用半经典输运模型和自旋输运模型等，研究HMCDs的输运特性；
（3）通过先进的纳米加工技术，制备HMCDs的模型样品，进行可靠性测试和输运特性测试。
三、研究目标和预期成果
1.研究目标
（1）深入研究HMCDs的可靠性问题及其输运特性，提高其竞争力和市场潜力；
（2）寻找和优化HMCDs的可靠性问题和输运特性，提高其可靠性和稳定性。
2.预期成果
（1）论文发表：至少提交2篇论文到具有国际影响力的SCI期刊；
（2）会议报告：至少参加2次以上国际会议并做口头报告；
（3）实验数据：收集并分析大量实验数据，建立可靠性和输运特性的测试数据库。
四、计划进度和预算
1.计划进度
（1）第1年：熟悉HMCDs相关背景知识和实验方法；
（2）第2年：开始进行HMCDs的可靠性测试和分析；
（3）第3年：进行HMCDs的输运特性研究；
（4）第4年：完成实验数据的收集与分析，论文撰写和会议报告。
2.预算
（1）实验室设备费：200万元；
（2）实验材料费：30万元；
（3）差旅费及出版费用：10万元。
五、预期成果的应用价值
本研究成果可以为HMCDs的可靠性和输运特性的优化提供科学依据，并且在射频和低功耗处理器领域应用广泛，具有很好的市场前景，提高了国内高端电子元器件的自主生产能力和国际竞争力。同时，研究成果可以为5G、物联网等领域的应用带来更加高效、稳定的器件，促进我国信息技术产业的发展。