集成电路制造工艺ppt课件.ppt

集成电路制造工艺集成电路的发展历史集成电路芯片显微照片各种封装好的集成电路1.1900年普朗克发表了著名的《量子论》
揭开了现代物理学的新纪元，并深深地
影响了20世纪人类社会的发展。1947年圣诞前夕，贝尔实验室的科学家肖克利(WilliamShockley)和他的两助手布拉顿(WaterBrattain、巴丁（Johnbardeen)在贝尔实验室工作时发明了世界上第一个点接触型晶体管锗多晶材料制备的点接触晶体管集成电路的发明1959年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片集成电路发明人，诺贝尔物理学奖（2000年）得主，
Kilby博士来复旦给师生讲课，2001年5月...从此IC经历了：
SSI
MSI
LSI
现已进入到：
VLSI
ULSI
GSI小规模集成电路(SmallScaleIC，SSI)
中规模集成电路(MediumScaleIC，MSI)
大规模集成电路(LargeScaleIC，LSI)
超大规模集成电路(VeryLargeScaleIC，VLSI)
特大规模集成电路(UltraLargeScaleIC，ULSI)
巨大规模集成电路(GiganticScaleIC，GSI）
VLSI使用最频繁，其含义往往包括了ULSI和GSI。中文中把VLSI译为超大规模集成，更是包含了ULSI和GSI的意义。CMOS工艺特征尺寸发展进程集成电路发展的特点摩尔定律集成电路单片集成度和最小特征尺寸的发展曲线
.IC在各个发展阶段的主要特征数据Intel公司第一代CPU—4004Intel公司CPU—386TMIntel公司最新一代CPU—Pentium®4器件结构类型
集成度
电路的功能
应用领域按器件结构类型分类集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目数模混合集成电路(Digital-AnalogIC)：
例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。标准通用集成电路
通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大的标准系列产品。这类产品往往集成度不高，然而社会需求量大，通用性强。
1.特征尺寸
(FeatureSize)/（CriticalDimension）
特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)
2.晶片直径(WaferDiameter)
为了提高集成度，可适当增大芯片面积。然而，芯片面积的增大导致每个圆片内包含的芯片数减少，从而使生产效率降低，成本高。采用更大直径的晶片可解决这一问题。晶圆的尺寸增加，当前的主流晶圆的尺寸为8吋，正在向12吋晶圆迈进。下图自左到右给出的是从2吋～12吋按比例画出的圆。由此，我们对晶圆尺寸的增加有一个直观的印象。3.DRAM的容量
RAM(Random-AccessMemory)－随机存取存储器
分为动态存储器DRAM(Dynamic)和静态存储器SRAM(Static)

中国IC产业分布图
中芯国际集成电路制造有限公司
上海华虹(集团)有限公司
华润微电子(控股)有限公司
无锡海力士意法半导体有限公司
和舰科技(苏州)有限公司
首钢日电电子有限公司
上海先进半导体制造有限公司
台积电(上海)有限公司
上海宏力半导体制造有限公司
吉林华微电子股份有限公司
飞思卡尔半导体(中国)有限公司
奇梦达科技(苏州)有限公司
威讯联合半导体(北京)有限公司
深圳赛意法半导体有限公司
江苏新潮科技集团有限公司
上海松下半导体有限公司
英特尔产品(上海)有限公司
南通富士通微电子有限公司
星科金朋(上海)有限公司
乐山无线电股份有限公司
炬力集成电路设计有限公司
中国华大集成电路设计集团有限公司
(包含北京中电华大电子设计公司等)
北京中星微电子有限公司
大唐微电子技术有限公司
深圳海思半导体有限公司
无锡华润矽科微电子有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司
上海华虹集成电路有限公司
北京清华同方微电子有限公司
展讯通信(上海)有限公司集成电路（IntegratedCircuit）制造工艺是集成电路实现的手段，也是集成电路设计的基础。集成电路工艺技术主要包括:
1、原始硅片工艺
硅单晶拉制到最终形成作为IC衬底和有源区的硅片的一整套工艺技术。
2、掺杂工艺
包括各种扩散掺杂和离子注入掺杂技术。
3、微细图形加工工艺
包括图形的复印和刻蚀转移两个方面。
4、介质薄膜工艺
包括各种热生长技术和各种CVD技术。
5、金属薄膜工艺
包括真空蒸发技术、溅射技术和CVD技术。
集成电路制造工艺简介
生产工厂简介净化厂房芯片制造净化区域走廊HereintheFabTwoPhotolithographyareaweseeoneofour200mm0.35micronI-LineSteppers.thissteppercanimagea