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LEDPROCESSOUTLINELED的分类LED概念与发光原理解释LED工作原理、特性（续）理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm）电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg，由光的量子性可知，hf=Eg[h为普朗克常量,f为频率，据f=c/λ,可得λ=hc/Eg,当λ的单位用um,Eg单位用电子伏特（eV）时，上式为λ=1.24um·ev/Eg]，若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在1.59～3.26eV之间。（续）X的取值LED制程工艺（红黄光系列）（续）（续）切割切割：
晶棒长成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是Wafer。
磊晶：
砷化镓磊晶依制程的不同，可分为LPE(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。LPE的技术较低，主要用于一般的发光二极管，而MBE的技术层次较高，容易成长极薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。
其过程首先是将GaAs衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉（简MOCVD，又称外延炉），再通入III、II族金属元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸气与非金属(V或VI族元素）的氢化物（或烷基物）气体，在高温下，发生热解反应，生成III-V或II-VI族化合物沉积在衬底上，生长出一层厚度仅几微米（1毫米＝1000微米）的化合物半导体外延层。长有外延层的GaAs片也就是常称的外延片。外延片经芯片加工后，通电就能发出颜色很纯的单色光，如红色、黄色等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光的颜色和亮度。其实，在几微米厚的外延层中，真正发光的也仅是其中的几百纳米（1微米＝1000纳米）厚的量子阱结构。
反应式：Ga(CH3)3+PH3=GaP+3CH4N-GaP-SiN-GaP-Si蒸镀Au（P面）蒸镀Ni（N面）光罩作业腐蚀金、铍蒸镀钛（P面）套刻前涂胶显影、定影Wafer半切经过封装后的LED高亮度发光二极管是国内刚起步的一个新兴的行业，这里只是所有LED制作工艺中的一种，不同的厂家都有自己独到的一套制作工艺，各厂家所使用的设备都可能不一样，各道工序的作业方式、化学配方等也不一样，甚至不同的厂家其各道制作工序都有可能是互相颠倒的。
但是万变不离其宗，其主要的思想都是一样的：外延片的生长（PN结的形成）---电极的制作（有金电极，铝电极，并形成欧姆接触）---封装。相关设备（续）（续）（续）