Sol-gel法制备BST薄膜取向生长影响因素及性能研究的任务书.docx

Sol-gel法制备BST薄膜取向生长影响因素及性能研究的任务书
任务名称：Sol-gel法制备BST薄膜取向生长影响因素及性能研究
任务背景：
铁电材料BST（BaSrTiO3）具有很好的介电性能和铁电性能，常被用于数据存储器、微波器件和振荡器等电学器件中。其中，BST薄膜作为最为重要的功能材料层，其电学性能与取向生长密切相关。因此，通过对BST薄膜取向生长影响因素及性能研究，能够促进其电学性能的提升和在实际应用中的推广。
任务内容：
1.制备不同取向的BST薄膜；
2.研究不同取向生长条件对BST薄膜基底、结晶粒度和电学性能的影响；
3.比较不同取向的BST薄膜在介电常数和损耗角正切等方面的性能差异；
4.探究BST薄膜取向生长机制，为优化其取向生长提供理论依据。
任务要求：
1.精通Sol-gel法，掌握BST薄膜制备技术，对薄膜制备过程进行优化改进；
2.具备材料分析测试技术，了解XRD、SEM等测试方法，进行BST薄膜微结构和物理性能分析；
3.具备数据处理能力，对实验数据进行分析，得出合理结论；
4.具有团队合作精神，能够协调各方面进度，完成任务。
成果要求：
1.完成Sol-gel法制备BST薄膜的实验，得到不同取向薄膜；
2.对不同取向薄膜进行物理性能和结构分析，比较其性能差异；
3.提出BST薄膜取向生长机制的理论模型；
4.撰写完整的技术报告，对实验结果进行总结和分析。