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GaAs基低密度量子点、量子环分子束外延生长的中期报告
本次中期报告主要介绍了GaAs基低密度量子点（QD）和量子环（QR）的分子束外延生长研究进展。以下是具体内容：
首先，我们分别研究了在不同生长条件下制备GaAs基低密度QD和QR的方法。通过调节生长温度、衬底种类和衬底表面处理等条件，成功制备出了直径约为10-20nm的QD和QR。同时，我们对生长过程进行了多种表征，如反射高能电子衍射（RHEED）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等。
接着，我们进行了详细的光学性质表征，包括光致发光（PL）和时间解析光谱（TRPL）。结果显示，在低温下，QD和QR的荧光峰位置明显不同，且具有不同的寿命衰减行为。
最后，我们研究了制备的QD和QR在分子束外延生长中的应用，制备出了多层异质结构和量子阱结构，并进行了光学表征。结果显示，在不同温度下，这些结构具有优异的光学性能，主要表现为近室温下的高光致发光效率和窄的发光谱带宽。
总的来说，我们通过制备GaAs基低密度QD和QR，并在分子束外延生长中应用，得到了有望在光电子学、量子通信等领域发挥重要作用的优异材料。