CdS纳米晶热溶剂合成及其薄膜的制备的中期报告.docx

CdS纳米晶热溶剂合成及其薄膜的制备的中期报告
首先，本文会介绍CdS纳米晶热溶剂合成的原理和方法，接着会详细描述CdS纳米晶薄膜的制备及其特性表征。
CdS纳米晶热溶剂合成的原理和方法：
CdS纳米晶的热溶剂法合成，是通过在有机溶剂中加入Cd和S原料时，加热至一定温度，通过各种化学反应产生CdS纳米晶的方法。CdS纳米晶的合成影响因素很多，包括反应温度、反应时间、浓度、表面活性剂、稳定剂等。同时，为了得到高纯度的CdS纳米晶，需要进行多步水洗和沉淀，以去除杂质和未反应的原料。
CdS纳米晶薄膜的制备及其特性表征：
采用自制的离心涂覆技术，在Si衬底上制备CdS纳米晶薄膜。其中，离心涂覆是一种简单、经济的制备技术，其原理是将液体样品加入刚离心涡流中，离心加速使液体分散成液滴，再落到平面上形成薄膜。
对CdS纳米晶薄膜进行场发射扫描电子显微镜（FESEM）、透射电子显微镜（TEM）及光学薄膜析出（OFDR）特性表征。通过FESEM和TEM可以确定CdS纳米晶的成分、大小和形貌等信息，而OFDR可以测量CdS纳米晶薄膜的发光性能。
综合来看，CdS纳米晶热溶剂法合成具有成本低、操作简单等优点，可以制备出规模较大且形貌均一的纳米晶。而离心涂覆技术制备CdS纳米晶薄膜简单、成本较低，同时也可以得到均匀的CdS纳米晶薄膜。