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ZnO纳米棒复合阻变存储器工作机制研究中期报告
中期报告：
一、研究背景与意义
在信息时代，存储器作为计算机应用的重要组成部件，具有非常重要的地位。其中阻变存储器由于其快速、低功耗、不易损坏等优点，备受研究者的关注和青睐。而随着纳米技术的发展，纳米材料已经被广泛应用于阻变存储器中。
因此，本次研究选取以氯化锌（ZnCl2）和杏仁酸（C5H8O4）为原料，采用溶胶-凝胶法制备ZnO纳米棒，并通过电化学沉积法在ZnO纳米棒表面制备NiO薄膜，进一步制得ZnO纳米棒/NiO薄膜复合阻变存储器，旨在探究该存储器的工作机制、优势和局限性，为其应用于信息存储领域提供理论与实验依据。
二、研究进展
1.溶胶-凝胶法制备ZnO纳米棒
通过反应条件的优化，成功地利用溶胶-凝胶法制备出了ZnO纳米棒。在氯化锌（ZnCl2）、杏仁酸（C5H8O4）和去离子水的相互作用下，在恒定的温度和搅拌速度条件下制备出了一系列不同形态和尺寸的ZnO纳米棒。
2.电化学沉积法制备NiO薄膜
采用双电极电化学系统，利用ZnO纳米棒作为工作电极，在电解液中以氢氧化镍的前驱体为溶液利用电沉积和恒电位沉积法，制得NiO薄膜。通过扫描电镜观察，该制备方法制备的NiO薄膜与ZnO纳米棒自组装成特定结构，表明NiO薄膜可以稳定地生长在ZnO纳米棒表面。
3.制备ZnO纳米棒/NiO薄膜复合阻变存储器
利用ZnO纳米棒/NiO薄膜复合阻变存储器的制作方法，成功地制备出了具有阻变特性的存储器器件。通过控制电压、电流和退火温度等因素，实现了器件的正常工作，并进行了相关的电学性能测试。
三、下一步工作
1.研究复合阻变存储器的工作机制。通过进一步深入探究复合材料和器件电性能之间的关系，揭示其工作机制和优越性，为其应用于信息存储领域提供基础理论。
2.优化器件性能，提高其可靠性和稳定性。在阻变存储器的研究中，稳定性与读取次数、存储容量以及性能等因素密切相关。接下来，我们将着重在这方面进行研究，以便进一步提高器件的性能和应用价值。
3.探索复合材料的其他应用。本次研究涉及到的ZnO纳米棒和NiO薄膜不仅仅局限于该存储器件的制作，也有其他的应用价值。因此，我们也将对复合材料的其他应用进行探索，为其应用提供更多的思路和发展方向。