冶金法多晶硅的热退火与铝吸杂实验研究的中期报告.docx

冶金法多晶硅的热退火与铝吸杂实验研究的中期报告
本研究的目的是通过热退火和铝吸杂实验来探究影响多晶硅电性能的因素。在本期的实验中，我们采用了以下步骤：
1.多晶硅试片的制备
取得纯度为99.9%的硅粉末，通过高温热解法制备多晶硅试片。试片的尺寸为10mm×10mm×0.5mm。
2.热退火实验
将试片置于真空炉中，升温到800℃，保温4小时，然后自然冷却到室温。通过检测退火后的多晶硅样品的电性能变化，探究热退火过程对多晶硅电性能的影响。
3.铝吸杂实验
将试片放入熔融的铝中，升温到850℃，保温6小时。通过检测吸杂后的多晶硅样品的电性能变化，探究铝吸杂过程对多晶硅电性能的影响。
实验结果如下：
经过热退火处理后，多晶硅的电导率明显增加，表明热退火过程能够提高多晶硅的电性能。另外，发现在加热过程中，多晶硅试片表面产生的气孔也随着升温程度逐渐增多，因此对于热退火实验，需要控制升温和冷却速率以保证退火效果。
经过铝吸杂处理后，多晶硅的电导率也明显增加，但是铝吸杂过程可能会导致多晶硅中出现输运特性不良的通道，进而降低电性能。此外，铝吸杂过程也会在多晶硅表面产生氧化铝的膜层，因此对于铝吸杂实验，需要控制加热时间和温度，避免氧化层的干扰。
综上所述，热退火和铝吸杂是影响多晶硅电性能的重要因素，在实际应用中需要根据具体情况制定不同的处理方案，并通过电性能测试来验证处理效果。