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GaN基HEMT材料的新结构研究的开题报告
题目：GaN基HEMT材料的新结构研究
摘要：
随着半导体行业的发展，对于功率器件的需求越来越大，而GaN基HEMT作为高功率微波器件的代表之一，受到了广泛的关注。然而，传统的GaN基HEMT结构存在着一些问题，如漏电流大、温度稳定性差等。因此，需要研究新的GaN基HEMT结构来解决现有的问题。
本研究计划探索新的GaN基HEMT结构，通过理论模拟和实验研究，寻找解决现有问题的方案。具体地，研究计划如下：
1.通过材料计算分析，确定适合GaN基HEMT的新材料，并设计新的GaN基HEMT结构。
2.研究新结构的电学性能，包括漏电流、开关速度、截止频率等指标的优化。
3.研究新结构的热学性能，即温度稳定性的改善。
4.进行实验验证，验证新结构的性能。
预期成果包括：
1.提出新的GaN基HEMT结构，解决现有问题。
2.研究新结构的电学性能和热学性能，验证新结构的优越性。
3.巩固半导体制备工艺和表征技能，提高科研水平。
关键词：GaN基HEMT；半导体器件；新结构；电学性能；热学性能。