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GaN基LED外延片结构设计与生长的中期报告
本篇中期报告主要介绍了GaN基LED外延片结构设计与生长的进展情况。
首先，我们设计了一种新型结构的GaN基LED外延片，其中包括p-GaN层、激活层和n-GaN层。这种结构具有更好的电性能和光学性能，并能够更好地控制发光颜色和亮度。该结构的具体参数如下：
-p-GaN层：厚度为0.5μm，掺杂浓度为2×10^18cm^-3
-激活层：厚度为0.2μm，InGaN量子井结构，3nm的InGaN井和2nm的GaN隔离层重复10次。
-n-GaN层：厚度为1.2μm，掺杂浓度为4×10^18cm^-3
接着，我们使用金属有机气相沉积（MOCVD）技术进行了生长，并进行了一系列的表征和优化实验。结果表明，使用我们设计的结构进行生长能够获得更好的电性能和光学性能。我们还通过控制生长条件和优化扩散过程等手段，进一步优化了外延片的性能。
最后，我们进行了器件制备和测试，并获得了良好的光电性能。我们的实验表明，采用我们设计的结构进行GaN基LED外延片生长能够获得更好的性能，并且是一种可行的方法。
未来，我们将进一步优化结构和生长条件，探索更好的技术路线，为高效、低成本的GaN基LED的制备提供更多的理论和实验依据。