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CMOS图像传感器动态范围扩展技术的研究与设计的中期报告
（Abstract）
随着数字图像处理技术的快速发展，CMOS（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor）图像传感器已经成为数字图像采集的主流技术之一。然而，CMOS图像传感器的动态范围限制了其在特定应用场景中的应用。因此，针对CMOS图像传感器动态范围扩展问题的研究显得非常重要。本文针对CMOS图像传感器动态范围扩展技术开展了研究与设计，本报告为中期报告。
（Introduction）
在相机、手机以及其它数字图像产品中，CMOS图像传感器是最常用的摄像头芯片。CMOS图像传感器因硅基材料和低功耗电路设计，具备功耗低、集成度高、成本相对较低、稳定性好等优点。然而，CMOS图像传感器在采集场景中存在亮度差异较大的情况，出现饱和或发生过暴问题，导致高光区域丢失图像细节信息。因此，提高CMOS图像传感器的动态范围和抑制饱和问题对于数字图像采集和处理具有重要意义。
（ResearchObjectives）
本文主要针对CMOS图像传感器动态范围扩展技术进行深入研究与设计，研究目标包括：
1）理解CMOS图像传感器的特点和饱和现象产生的原因；
2）设计一种基于多曝光技术的动态范围扩展算法，并针对该算法进行优化；
3）建立仿真模型，验证算法的有效性和可行性。
（ResearchMethods）
本文采用文献调研、算法设计、优化与仿真验证相结合的研究方法。具体方法如下：
1）分析和总结CMOS图像传感器的特点和饱和现象的原因；
2）设计一种基于多曝光技术的动态范围扩展算法，并针对该算法进行优化；
3）在Matlab/Simulink平台上建立仿真模型，测试和验证算法的有效性和可行性。
（ExpectedResults）
本文通过研究与设计，预期达到以下目标：
1）理解CMOS图像传感器的特点和饱和现象产生原因；
2）设计一种基于多曝光技术的动态范围扩展算法，并对算法进行优化；
3）建立仿真模型，验证算法的有效性和可行性。
（Conclusion）
CMOS图像传感器动态范围扩展技术的研究和设计是数字图像处理领域的重要研究方向。本文针对该问题进行深入研究，设计一种基于多曝光技术的动态范围扩展算法，并建立仿真模型进行测试和验证。预期达到对CMOS图像传感器动态范围扩展问题的深入理解和有效解决方案。