ZrN薄膜.doc

ZrNO薄膜分析

理想配比：
1.
2.
缺点：电阻率太大，导致电阻值比较大
原因：薄膜中得N含量过大

1.反应气体流速对薄膜性能的影响

反应气体中O2优先于N2与Zr反应
可以得出：减小反应气体的流速，会适当的减小薄膜的电阻率

2.薄膜中N含量跟N气分压之间的关系

图中我们可以看出，我们要求的N与Zr的含量在两条红色线之间，比值为1.2左右，偏差不超过0.05。
可以得出：通过降低N气分压，来降低薄膜中得N含量。

3.离子流对薄膜性能的影响

图中可以看出，溅射是在相同的N气分压下，离子束流能够影响薄膜的电阻率。
可以得到：取合适的离子束流，使得薄膜的电阻率降低

4.射频功率对薄膜性能的影响

在N气分压为5X10-4Torr、射频功率为250W时，薄膜的电阻率为160µΩ.cm
可以得出：在不改变N气分压的前提下，改变功率也可以一样取得改善薄膜性能的目的。

5.N2分压与元素含量之间的关系

可以得出：当N2含量超过一定值后，N与Zr之间的比值趋于稳定。（与我们做得100nm\150nm有矛盾）

上面两个图是我们所做的传感器和购买的传感器的XRD图谱，由XRD图谱可以看出，购买的传感器结晶度高，晶体结构好，
而我们所做的传感器没有明显的峰值，说明薄膜为非晶的无序结构，与我们所需要的不同。