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AlGaNGaNHEMT材料及微波功率器件研究的中期报告 经过中期的研究,AlGaNGaNHEMT材料及微波功率器件研究的一些进展已经取得。以下是该研究的中期报告: 1.材料制备 通过气相外延法(MOVPE)在晶片表面生长了AlN、GaN和AlGaN层。通过HCl/Cl2混合气体进行原子力显微镜(AFM)研究的表面形貌,验证了样品表面的平整性和均匀性。通过X射线衍射技术(XRD)分析,可以证明样品中氮化物的纯度以及与衬底的匹配。 2.结构特性 制备的AlGaNHEMT层的厚度和波长的重要特性得到了研究。外延材料在表面形态和缺陷的研究中,引入了一些在半导体经常使用的表征技术,如AFM表面形貌研究,割线激光光散射(JCSD)透射电镜和XRD分析等。 3.HEMT器件制造和特性 所制造的HEMT器件的最大输出功率在高电压条件下已经得到了测量。同时,处理工艺对HEMT器件性能的影响也被研究。该研究中,我们还探索了HEMT器件的温度特性,提示了部分HEMT器件的电流-电压(I-V)特性与温度有关,因此可能需要在低温环境下进行性能测试。 在未来的研究中,还需加强对于AlGaNHEMT材料和微波功率器件的半导体物理学、模拟和设计的研究,优化HEMT器件的性能,以满足更高功率和更高频率的需求。