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两相法合成半导体量子点及其发光性能研究的中期报告
该项目旨在利用两相法合成半导体量子点，并研究其发光性能。首先，我们进行了实验室合成半导体量子点的尝试，并成功制备出了CdSe量子点。其尺寸和分布情况通过透射电子显微镜和荧光光谱测量进行了表征。
接下来，我们进行了两相法合成CdSe量子点的改进和优化。在优化后的实验条件下，量子点具有更窄的尺寸分布、更高的荧光量子产率和更强的发光强度。通过紫外-可见吸收光谱和荧光光谱的测量，发现量子点的紫外吸收边和荧光峰位置有一定的红移，这是因为量子点的粒径变小。
最后，我们研究了CdSe量子点的发光性能。通过调节激发光波长和测量荧光光谱，我们发现量子点具有可调芯壳结构和荧光颜色，其荧光光谱具有单峰和双峰两种形式。在单峰荧光光谱下，量子点的荧光峰位置随温度变化而移动，这可能是由于在不同温度下电子态分布的变化导致的。
总的来说，我们成功地利用两相法合成了CdSe量子点，并对其尺寸、荧光量子产率和发光性能进行了研究。这些发现有助于进一步了解和控制量子点的光学性质，并在生物荧光成像、光电器件等领域中有广泛的应用前景。