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ZnMgO合金薄膜及量子阱结构的制备和光学性质研究的开题报告
一、研究背景
随着半导体器件尺寸的不断缩小，摩尔定律的不断推进，有望在未来几年取代现有半导体材料的新型材料逐渐崭露头角。其中，ZnMgO合金薄膜及其量子阱结构因其在光电子学领域的应用前景广阔，备受关注。ZnMgO合金薄膜具有优异的光电性能和生物相容性，能够在太阳能电池、OLED、可穿戴设备等方面发挥重要作用。同时，量子阱结构的引入可以有效地增强薄膜的光学性能，提高器件的性能和效率。因此，对于ZnMgO合金薄膜及其量子阱结构的制备和光学性质研究具有十分重要的意义。
二、研究目的
本研究旨在制备ZnMgO合金薄膜及其量子阱结构，并通过光学测试手段对其进行表征。具体研究目的如下：
1.选择合适的材料和制备方法，制备出高质量的ZnMgO合金薄膜。
2.利用量子阱结构的设计和制备方法，制备出具有优异光学性能的ZnMgO量子阱薄膜。
3.使用紫外-可见-近红外光谱仪、激光扫描共聚焦显微镜等手段，对制备的薄膜进行表征和分析，探究其在光电子学中的应用前景。
三、研究内容
1.ZnMgO合金薄膜的制备
选取适当比例的ZnO和MgO作为原料，采用磁控溅射、分子束外延等方法制备高质量的ZnMgO合金薄膜。
2.ZnMgO量子阱薄膜的制备
通过量子阱结构的设计和制备方法，制备出具有优异光学性能的ZnMgO量子阱薄膜。
3.薄膜的表征和分析
使用紫外-可见-近红外光谱仪、激光扫描共聚焦显微镜等手段对制备的薄膜进行表征和分析，探究其在光电子学中的应用前景。
四、研究意义
1.为现有的半导体材料提供了一种新的选择方案，推进光电子学领域的发展。
2.通过对ZnMgO合金薄膜及其量子阱结构的研究，探究材料的光学性质和电学性能，为器件的性能和效率提升提供基础依据。
3.本研究的结果有望为光电子学领域的发展提供新思路和新方向。
五、研究方法
1.磁控溅射或分子束外延等方法制备ZnMgO合金薄膜。
2.利用EPD（电泳沉积）等方法制备量子阱结构。
3.使用紫外-可见-近红外光谱仪、激光扫描共聚焦显微镜等手段进行表征和分析。
六、研究进度
1.2021年09月-10月：文献综述，了解ZnMgO合金薄膜及其量子阱结构的研究进展。
2.2021年11月-12月：确定研究方法，进行实验室前期实验。
3.2022年01月-04月：制备高质量的ZnMgO合金薄膜，并进行表征和分析。
4.2022年05月-08月：制备ZnMgO量子阱薄膜，并进行表征和分析。
5.2022年09月-12月：整理数据，撰写论文并进行抗辩答辩。
七、预期成果
1.成功制备高质量的ZnMgO合金薄膜和ZnMgO量子阱薄膜。
2.在光学性质方面对制备的薄膜进行了详细的表征和分析。
3.发表2-3篇与研究内容相关的学术论文。
4.为推进ZnMgO合金薄膜及其量子阱结构的研究和应用提供了重要的实验数据和理论基础。