Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜结构和磁性研究的任务书.docx

Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜结构和磁性研究的任务书
任务书
任务名称：Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜结构和磁性研究
任务概述：
本任务旨在研究Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜结构和磁性。首先，将通过介绍ZnO和Cr掺杂ZnO的性质及相关文献资料的综述，理论分析Cr掺杂ZnO基稀磁半导体的物理机制。随后，利用物理气相沉积技术制备Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜，并通过X射线衍射等手段对样品的结构进行表征。最后，通过磁性测量手段来探索样品的磁性特征，揭示Cr掺杂对ZnO基稀磁半导体磁性的影响及机理。
任务分工及进度：
任务分两个阶段完成：第一阶段，文献综述和理论分析，时长为1个月。第二阶段，样品制备及性质表征，包括物理气相沉积制备Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜，X射线衍射表征结构，磁性测量揭示磁性特征及机理，时长为5个月。
分工如下：
|任务阶段|分工|进度|
|:--:|:--:|:--:|
|阶段一|文献综述和理论分析|1个月|
|阶段二|样品制备及性质表征|5个月|
任务成果及验收标准：
本任务的成果主要包括以下内容：
1.Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜的制备方法及技术细节；
2.样品的结构表征数据，包括X射线衍射谱线和晶胞参数；
3.样品的磁性测量数据，包括磁滞回线、磁化率和居里温度等。
验收标准：
1.实验结果可重复，并能够得出合理的结论；
2.实验数据准确可靠，统计分析方法得当，数据处理得到正确的结论；
3.研究方法和实验过程符合科学规范，数据处理方法符合学术要求。
风险及对应措施：
1.样品制备过程中，可能会出现杂质、膜厚不均匀等问题。解决方法：优化制备工艺和磨砂处理；
2.实验过程中，可能会因为操作不当等因素影响样品的质量和表征结果。解决方法：建立完善的实验操作规程，确保实验过程的可重复性及准确性；
3.实验设备损坏或实验材料的供应问题。解决方法：及时维修或更换设备，优化实验计划，确保实验进度的顺利进行。