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低维MgB2材料制备与物性研究的中期报告
中期报告：
MgB2是一种具有高临界温度和磁场的超导材料，在超导电子领域具有广泛的应用前景。本文研究的是低维MgB2材料的制备与物性研究。
1.制备方法
本文采用了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备低维MgB2。制备条件为真空度为0.05mbar，基板温度为400℃，使用B2H6和Mg源进行反应。通过调节反应时间和B2H6/Mg比例，可以控制制备出的MgB2的结构和形貌。
2.物性研究
本文使用了扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、电阻测量和磁性测量等手段对制备的低维MgB2的物性进行研究。
SEM结果表明，制备的MgB2具有纳米尺度的形貌，表面光滑且均匀。
XRD结果表明，制备的MgB2具有明显的(002)晶向，符合其二维结构。
电阻测量和磁性测量结果表明，制备的低维MgB2具有超导性质，其临界温度为37K。在外加磁场下，其临界电流密度为1.2×10^3A/cm2，表现出较好的磁场承受能力。
3.研究展望
下一步，我们将继续优化制备方法，控制MgB2的形貌和结构，进一步提高其临界温度和磁场承受能力。同时，我们将对低维MgB2的超导机理展开深入研究，探究其在纳米尺度下的超导性质。