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SiC晶片精密研磨工艺及其表面损伤研究的中期报告
本研究旨在探究SiC晶片的精密研磨工艺及其表面损伤情况。本文给出了中期报告，总结以下研究进展：
1.实验设备及方法：
本研究使用了高精度磨削设备进行SiC晶片的研磨实验，并使用了显微镜、扫描电子显微镜等手段对研磨后的表面进行分析。
2.研究结果：
经过多次实验，我们发现在研磨SiC晶片时，会出现表面损伤现象，主要表现为微裂纹、划痕等。这些损伤会导致晶片性能下降，同时也会影响下一步的加工。
3.分析原因：
通过对实验结果的分析，我们认为表面损伤主要是由于研磨过程中的热应力和机械应力引起的。研磨过程中，摩擦和热量的产生会导致材料表面产生应力，而机械撞击则会导致表面微观结构变化，从而引起表面损伤。
4.改进思路：
为了减少SiC晶片表面损伤，我们正在探索采用新的磨削工艺，如超声波磨削、高压水射流磨削等，以减少机械应力和热应力对晶片表面的影响。
总之，SiC晶片精密研磨工艺及其表面损伤是一个重要的研究方向，本研究的结果还需要在后续实验中进行验证和完善。