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SiCMOS界面氮等离子体改性及电学特性研究的中期报告 该研究的中期报告着重于介绍SiCMOS界面氮等离子体改性及其对电学特性的影响。研究团队采用等离子体处理技术将氮原子注入SiCMOS界面,并通过XPS和TOF-SIMS等表征技术对其界面化学组成和形貌进行了分析。 结果显示,在氮等离子体注入后,经过400℃退火处理的SiCMOS界面形成了氮化硅的结构,表面也出现了微小的山丘结构。此外,氮化硅层的添加使界面的能隙发生变化,导致界面谷带宽度的缩小和固定正电荷密度的增加,从而提高了界面的载流子注入效率和电学特性。 进一步的研究表明,SiCMOS界面经过适当的氮等离子体注入和处理后,具有更高的阈值电压和较低的泄漏电流密度。这是由于硅氧化物/氮化硅界面上正电荷密度的增加,使得界面电势产生变化,从而抑制了钱威反向击穿和漏电流密度的增加。 综上所述,SiCMOS界面氮等离子体改性可以提高其电学性能,具有实际应用潜力。未来的研究方向包括进一步优化氮等离子体注入和处理条件,并研究其对其他材料的界面性质的影响。