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MEMS高g值加速度传感器研究的中期报告
本次中期报告基于MEMS高g值加速度传感器的研究进展。我们的目标是开发一种能够测量高g值的MEMS加速度计，以满足航空航天、军事和运动等领域的需求。
在研究中期，我们完成了以下工作：
1.设计和制备了MEMS加速度计芯片。芯片采用双质量体结构，包括一个质量为5毫克的外质量体和一个质量为0.05毫克的内质量体。通过微加工技术制备出芯片，并在芯片上加工出电极和电导板等结构。
2.测试了MEMS加速度计的性能。我们对芯片进行了静态和动态测试。我们发现，该MEMS加速度计具有高灵敏度、低噪声和稳定性好等特点。同时，该加速度计能够测量高达10000g的高加速度。
3.优化了MEMS加速度计的性能。我们对芯片进行了一系列优化，包括降低阻尼系数、减小质量失调和提高机械刚性等。这些优化措施显著提高了MEMS加速度计的性能指标。
总结起来，我们的研究获得了一定的进展，初步验证了设计和制备MEMS高g值加速度传感器的可行性，达到了预期目标。但是，在后续的研究中，我们还需要进一步提高MEMS加速度计的性能和可靠性，以满足实际应用的需求。