SiC陶瓷与金属W的连接及工艺研究的中期报告.docx

SiC陶瓷与金属W的连接及工艺研究的中期报告
这篇中期报告主要介绍了SiC陶瓷与金属W的连接及工艺研究的进展。
首先，我们研究了SiC陶瓷的表面处理方法，选择了化学镀铜工艺。该工艺能够在SiC表面形成一层铜薄膜，使SiC表面更容易与金属W相互结合。接下来，我们设计了不同的连接结构，并比较了它们的连接强度及热稳定性。其中，最优秀的连接结构为SiC陶瓷和金属W之间使用Ni/Cr电极焊接，并在焊接之后进行热处理。
我们还测试了不同连接结构的力学性能及断裂机理，并进行了分析。实验结果表明，采用Ni/Cr电极焊接的连接结构具有较高的强度和热稳定性，而且在断裂模式上表现出良好的韧性。然后，我们对焊接后产生的应力进行了研究，并最终确定了适当的热处理工艺来缓解这些应力。
最后，我们进行了一些长时间的热稳定性测试，并发现所选择的连接结构在高温环境下具有较好的稳定性和耐久性。
总之，这项研究为SiC陶瓷和金属W的连接提供了一种有效的工艺方案，并且在实验中取得了很好的结果。在未来工程和应用中，该连接技术可以成为一种重要的新型连接方式。