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GaN纳米线和薄膜的制备及其特性研究的任务书
题目：GaN纳米线和薄膜的制备及其特性研究
任务描述：
1.研究和掌握GaN纳米线和薄膜的制备技术，包括物理气相沉积、分子束外延、化学气相沉积等方法，比较不同技术的优缺点及适用范围；
2.制备GaN纳米线和薄膜样品，对其物理性质进行表征，包括表面形貌、晶体结构、X射线衍射、拉曼光谱、光学性质等；
3.研究GaN纳米线和薄膜的电学性质，包括载流子浓度、导电型、电子迁移率、霍尔系数等，对其导电性能进行分析和比较；
4.研究GaN纳米线和薄膜的光电性质，包括光电转换效率、发射光谱、复合能级等，对其在光电子器件中的应用进行探索；
5.结合实验结果和文献资料，深入分析GaN纳米线和薄膜的物理和化学性质，探讨其制备过程及特殊性能对其性能的影响；
6.撰写实验报告，包括制备过程、表征结果、数据分析和结论，提出未来改进和进一步研究的方向。
要求：
1.具有相关领域的研究背景和实验室操作技能，了解材料物理、表面物理、光电器件等方面的基础知识；
2.精通GaN纳米线和薄膜制备的理论和实践，具有丰富的实验经验和数据分析能力；
3.具有扎实的英文读写能力，能查阅并理解相关文献资料，掌握英文科技写作方法；
4.具有良好的团队合作、沟通和组织管理能力，能与实验室成员和导师紧密配合。