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GaN微波及THz功率器件设计与工艺研究的中期报告
本研究旨在设计和实现高功率、高效率的GaN微波和THz功率器件。本报告为中期成果汇报，主要介绍了以下工作内容：
1.文献综述：对GaN材料和微波器件、THz器件的研究现状进行了综述，分析了国内外相关研究的发展趋势和存在的问题。
2.GaN材料和器件的制备和性能测试：通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在100mm硅衬底上制备GaN材料薄膜，使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪等对样品进行了表征和性能测试，并制备了GaN金属-半导体场效应晶体管（MESFET）。
3.微波功率器件的设计和模拟：根据MESFET工艺参数和器件结构，使用三维电磁模拟软件AnsysHFSS对微波功率放大器进行了建模和仿真，设计了12W、22GHz的宽带微波功率放大器，并对其进行了仿真和优化。
4.THz功率器件的设计和模拟：基于GaN材料的高电子迁移率和高饱和漂移速度等特性，设计了一种基于Schottky二极管的THz功率器件。使用AnsysHFSS对电路进行了仿真，设计了具有5W、350GHz输出功率的单级Schottky二极管功率放大器。
5.工艺研究：在对GaNMESFET的制备和性能测试基础上，进一步研究了MESFET的优化工艺，并探索了GaN材料在THz频段的应用。
总体来说，本研究立足于深入理解GaN材料和器件特性，探索其在微波和THz功率领域的应用，为实现高功率、高效率的GaN功率器件提供了技术支持和新思路。