一种有源混频器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108964613A(43)申请公布日2018.12.07(21)申请号201810715340.0(22)申请日2018.06.29(71)申请人南通朝旭环保科技有限公司地址226001江苏省南通市崇川区人民东路699号京扬数码城D幢350室(72)发明人樊璠(74)专利代理机构北京天奇智新知识产权代理有限公司11340代理人任毅(51)Int.Cl.H03D7/14(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称一种有源混频器(57)摘要本发明公开了一种有源混频器,属于混频器技术领域。该混频器包括跨导级、开关级和负载级三部分；跨导级采用第三阶跨导系数修正电流镜对电路,将输入的射频差分电压信号转换成电流信号；开关级MOS管在本振大信号的控制下轮流导通；负载级电阻将开关级转换后的电流信号转换成电压信号；该混频器采用了改进型的动态电流注入技术,减小了混频器的闪烁噪声；相对现有技术,本发明结构简单、转换增益高、线性度好、噪声低、端口隔离度好。CN108964613ACN108964613A权利要求书1/1页1.一种混频器电路，其特征在于：包括依次电连接的跨导级、开关级和负载级，所述跨导级采用第三阶跨导系数修正电流镜对电路和源简并电感结构，跨导级与外部输入设备连接，接入射频电压，将射频电压转化为射频电流；所述开关级接入本振信号，采用MOS管在本振大信号的控制下轮流导通，对电流进行切换调制，来实现频率的转换；所述负载级电阻负责把变频后的中频电流信号转换成输出电压信号。2.根据权利要求1所述的混频器，其特征在于：所述跨导级包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M9、NMOS管M10，PMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8，电感L1、电感L2、电感L3、电感L4和电感L5；所述电感L2的一端与射频电压信号的正极端RF+连接，另一端与NMOS管M1的栅极连接；NMOS管M1的源级与NMOS管M2的源级连接，漏极与NMOS管M9的漏极连接；NMOS管M9的栅极和漏极连接，源级与NMOS管M1的栅极连接；NMOS管M2的栅极与NMOS管M1的栅极连接，源级与NMOS管M1的源级连接，漏极与PMOS管M6的漏极连接；电感L4的一端与NMOS管M1的源级连接，另一端接地；PMOS管M5的漏极与NMOS管M1的漏极连接，栅极与PMOS管M6的栅极连接，源级与偏置电压V0连接；PMOS管M6的栅极和漏极连接，源级与偏置电压V0连接；电感L3的一端与射频电压信号的负极端RF-连接，另一端与NMOS管M3的栅极连接；NMOS管M3的源级与NMOS管M4的源级连接，漏极与NMOS管M10的漏极连接；NMOS管M10的栅极和漏极连接，源级与NMOS管M3的栅极连接；NMOS管M4的栅极与NMOS管M3的栅极连接，源级与NMOS管M3的源级连接，漏极与PMOS管M7的漏极连接；电感L5的一端与NMOS管M3的源级连接，另一端接地；PMOS管M8的漏极与NMOS管M3的漏极连接，栅极与PMOS管M7的栅极连接，源级与偏置电压V0连接；PMOS管M7的栅极和漏极连接，源级与偏置电压V0连接；电感L1的一端与NMOS管M1的漏极连接，电感L1的另一端NMOS管M3的漏极连接。3.根据权利要求2所述的混频器，其特征在于：所述开关级包括NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14；所述NMOS管M11的栅极与本振信号的正极端LO+连接，其源级与NMOS管M1的漏极连接，漏极与负载级电阻R1的一端连接；NMOS管M12的栅极与本振信号的负极端LO-连接，其源级与NMOS管M11的源极连接，漏极与NMOS管M14的漏极连接；NMOS管M13的栅极与本振信号的负极端LO-连接，其源级与NMOS管M3的漏极连接，漏极与NMOS管M11的漏极连接；NMOS管M14的栅极与本振信号的负极端LO+连接，其源级与NMOS管M3的漏极连接，漏极与负载级电阻R2的一端连接。4.根据权利要求3所述的混频器，其特征在于：所述负载级包括电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2；所述电阻R1的一端与NMOS管M11的漏极连接，R1的另一端与电源电压VDD连接；电容C1的一端与NMOS管M11的漏极连接，另一端与电源电压VDD连接；所述电阻R2的一端与NMOS管M14的漏极连接，R2的另一端与电源电压VDD连接；电容C2的一端与NMOS管M14的漏极连接，另一端与电源电压VDD连接。5.根据权利要求4所述的混频器，其特征在于：所述改进型电流注入技术包括PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17；所述PMOS管M