混频器电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108964614A(43)申请公布日2018.12.07(21)申请号201810715381.X(22)申请日2018.06.29(71)申请人南通朝旭环保科技有限公司地址226001江苏省南通市崇川区人民东路699号京扬数码城D幢350室(72)发明人樊璠(74)专利代理机构北京天奇智新知识产权代理有限公司11340代理人任毅(51)Int.Cl.H03D7/14(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称混频器电路(57)摘要本发明涉及一种混频器电路，包括依次电连接的跨导级电路、开关级电路和负载级电路，跨导级电路用于接入射频电压信号，并将射频电压信号转化为射频电流信号；开关级电路用于接入本振信号和射频电流信号，利用本振信号控制开关级晶体管轮流导通；负载级电路用于将中频电流信号转换成电压信号进行输出。在本发明中跨导级电路采用晶体管叠加技术结构，提高了混频器的转换增益；同时采用源简并电感结构，进一步提高了电路的转换增益和线性度。CN108964614ACN108964614A权利要求书1/1页1.一种混频器电路，其特征在于，包括依次电连接的跨导级电路、开关级电路和负载级电路；所述跨导级电路，采用晶体管叠加技术结构和源简并电感结构，其用于接入射频电压信号，将射频电压信号转化为射频电流信号；所述开关级电路，其用于接入本振信号和射频电流信号，利用本振信号控制开关级晶体管轮流导通，输出中频电流信号；所述负载级电路，其用于将中频电流信号转换成电压信号输出；所述跨导级电路包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、电感L1、电感L2、电感L3；所述晶体管M1的栅极与射频电压信号的正极端RF+连接，所述晶体管M1的漏极与晶体管M2的漏极连接，所述晶体管M1的源级与电感L2的一端连接，电感L2的另一端接地；晶体管M2的栅极与晶体管M1的栅极连接，晶体管M2的源级接地；所述晶体管M4的栅极与射频电压信号的负极端RF-连接，所述晶体管M4的漏极与晶体管M3的漏极连接，所述晶体管M4的源级与电感L3的一端连接，电感L3的另一端接地；晶体管M3的栅极与晶体管M4的栅极连接，晶体管M3的源级接地；所述电感L1的一端与晶体管M1的漏极连接，另一端与晶体管M4的漏极连接。2.根据权利要求1所述的混频器电路，其特征在于：所述开关级电路包括晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8，所述晶体管M5的栅极与本振信号的正极端LO+连接，所述晶体管M5的源级与所述晶体管M1的漏极连接，所述晶体管M5的漏极与所述负载级电路连接；所述晶体管M6的栅极与本振信号的负极端LO-连接，所述晶体管M6的源级与所述晶体管M5的源极连接，所述晶体管M6的漏极与所述晶体管M8的漏极连接；所述晶体管M7的栅极与本振信号的负极端LO-连接，所述晶体管M7的源级与所述晶体管M4的漏极连接，所述晶体管M7的漏极与所述晶体管M5的漏极连接；所述晶体管M8的栅极与本振信号的负极端LO+连接，所述晶体管M8的源级与所述晶体管M4的漏极连接，所述晶体管M8的漏极与所述负载级电路连接。3.根据权利要求2所述的混频器电路，其特征在于，所述负载级电路包括电阻R1、电阻R2、晶体管M9和晶体管M10；所述晶体管M9的栅极与晶体管M10的栅极连接，所述电阻R1的一端与晶体管M9的栅极连接，另一端与晶体管M9的源级连接，晶体管M9的源级与晶体管M5的漏极连接，晶体管M9的漏极接电源电压；所述电阻R2的一端与晶体管M10的栅极连接，另一端与晶体管M10的源级连接，晶体管M10的源级与晶体管M8的漏极连接，晶体管M10的漏极接电源电压。4.根据权利要求3所述的混频器电路，其特征在于，所述晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10均为NMOS晶体管。2CN108964614A说明书1/5页混频器电路技术领域[0001]本发明涉及射频前端集成电路，尤其涉及一种射频前端接收机中的混频器电路。背景技术[0002]21世纪以来，无线通信技术高速发展，人们对通信设备的需求也越来越高。射频接收机是无线通信的重要模块，它的性能指标影响着整个无线通信系统。其中混频器的设计在射频收发系统中扮演着重要的角色，混频器的性能指标影响着整个射频前端的性能指标，因此提高混频器的性能具有重要的意义。射频接收器上存在的微弱信号首先由低噪声放大器放大，然后传送到混频器。所以在混频器的设计中，需要对转换增益、噪声、线性度、隔离度等性能指标进行综合考虑，对混频器的性能参数进行折中。传统的吉尔伯特混频器电路只能提供一定的转换增益、噪声和线性度，因此，高性能的混频器电路成为当前的研究热点。发明内容[0003]为了解决上述