200V功率SOI-PLDMOS器件热载流子退化机理研究中期报告.docx

200V功率SOI-PLDMOS器件热载流子退化机理研究中期报告
中期报告：
1.研究背景
随着电子设备的发展，人们对功率器件的要求越来越高，SOI-PLDMOS器件由于具有低电源电压、低漏电流和高耐受电压等优点，被广泛应用于电源管理和驱动器。然而，热载流子会对器件的性能产生严重的影响，导致其退化。因此，研究SOI-PLDMOS器件的热载流子退化机理是非常重要的。
2.研究目的
本研究旨在探究200V功率SOI-PLDMOS器件热载流子的退化机理，为器件的设计和优化提供理论支持。
3.研究内容
（1）对SOI-PLDMOS器件进行电性能测试，得到器件的静态和动态特性参数。
（2）通过退火实验和温度扫描实验，研究器件的热载流子退化过程，并分析其机理。
（3）通过模拟分析，探究器件结构和工艺参数对热载流子退化的影响。
4.预期成果
通过本次研究，预计能够得到以下成果：
（1）确定200V功率SOI-PLDMOS器件热载流子的退化机理。
（2）分析器件结构和工艺参数对热载流子退化的影响。
（3）为进一步优化SOI-PLDMOS器件设计提供理论依据。