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MOSFET射频模型的器件及电路级验证的中期报告
本次中期报告主要介绍MOSFET射频模型的器件及电路级验证的进展情况。具体内容如下：
一、前期工作回顾
1.研究了MOSFET的物理机制及特性，掌握了各种参数的意义和计算方法。
2.了解了MOSFET射频模型的基本原理和构成，包括外部RC网络模型、内部小信号模型和大信号模型。
3.根据文献资料和商业软件仿真，初步验证了MOSFET射频模型的准确性和可用性。
二、器件级验证进展
1.选择了一种常见的MOSFET晶体管，进行了DC仿真和量测，对比了仿真结果和实验数据，发现两者相差较小，表明仿真模型较为准确。
2.对该MOSFET晶体管进行了S参数测量，并与仿真结果进行对比分析，结果也表明两者较为吻合。
3.继续优化仿真模型，加入影响因素，如热噪声、漏电流等，并进行了相应的仿真，初步发现这些因素对器件射频性能有一定的影响。
三、电路级验证进展
1.设计了一个基于MOSFET晶体管的CMOS振荡器电路，并进行了仿真。结果表明，振荡器能够工作在设计频率范围内，且输出功率达到预期值。
2.对该振荡器电路进行了PCB设计，并完成了样品制作。目前正在进行电路测试和性能验证。
四、下一步工作计划
1.继续完善MOSFET射频模型的仿真，加入更多的影响因素，如MOSFET结构、不同工艺参数等。
2.进一步对MOSFET晶体管的性能进行测试和分析，寻找优化方法和方案。
3.完成对振荡器电路的测试和验证，研究其它基于MOSFET射频模型的电路应用，如放大器、混频器等。