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InP基1.55μm波长高性能波导探测器研制的中期报告
摘要：该报告介绍了InP基1.55μm波长高性能波导探测器研制的中期进展情况。通过原理分析和器件结构设计，采用MOCVD方法制备了InP基材料和InGaAsP量子阱活性层。利用电子束曝光、光刻、湿法刻蚀等工艺制备了波导探测器的器件结构，并进行了电学和光电性能测试。结果表明，所研制的波导探测器在763K的温度下具有最大的响应度，为0.34A/W，并且在1.55μm波长下具有良好的响应特性和较高的峰值响应度。这一结果表明，所研制的波导探测器具有较好的性能特点和使用前景，并为后续进一步优化和发展奠定了基础。
关键词：InP基材料；InGaAsP量子阱；波导探测器；响应度；峰值响应度
Introduction
随着光通信和光电子技术的广泛应用，高性能波导探测器受到了越来越广泛的关注。在1.55μm波长的应用中，InP基材料和InGaAsP量子阱活性层由于其优异的电学和光学性能，被广泛用于高性能波导探测器的研制。本文中期报告旨在介绍该项目的研制进展情况。
MaterialsandMethods
本项目采用MOCVD方法制备了InP基材料和InGaAsP量子阱活性层。器件结构采用沟道式（mesa）结构，通过电子束曝光、光刻、湿法刻蚀等工艺，制备了波导探测器的器件结构。电学和光电性能测试采用Keithley4200系列测试仪器和光电测试系统。
ResultsandDiscussion
测试结果表明，所研制的波导探测器在763K的温度下具有最大的响应度，为0.34A/W，并且在1.55μm波长下具有良好的响应特性和较高的峰值响应度。这一结果表明，所研制的波导探测器具有较好的性能特点和使用前景，并为后续进一步优化和发展奠定了基础。
Conclusion
本项目中期报告介绍了InP基1.55μm波长高性能波导探测器研制的进展情况。测试结果表明，所研制的波导探测器具有较好的性能特点和使用前景，并为后续进一步优化和发展奠定了基础。