Si衬底GaN基InGaNGaN多量子阱TEM研究的任务书.docx

Si衬底GaN基InGaNGaN多量子阱TEM研究的任务书
任务名称：Si衬底GaN基InGaN/GaN多量子阱TEM研究
任务目标：
1.通过透射电子显微镜（TEM）研究，深入了解Si衬底GaN基InGaN/GaN多量子阱薄膜的结构、性质、缺陷等方面，揭示其物理机制；
2.在TEM样品制备、光学成像及数据分析等方面，探索并建立一套操作规范，保证研究的准确性和可靠性；
3.通过相关性质的测量和分析，确定材料的电学、光学等特性，同时对其在光电领域中的应用进行探索。
任务步骤：
1.根据手头已有的文献，制定实验方案，确定TEM样品的制备方法、制备条件及测试流程等。
2.根据实验方案，利用TEM技术，制备Si衬底GaN基InGaN/GaN多量子阱样品，并进行成像和分析。
3.利用高分辨透射电子显微镜对样品进行物态分析以及颗粒等级测试。
4.通过测量得到各种材料的基本物理参数，并进行数据分析，确定其性质。
5.对常用光电测试技术进行评估，并确定合适的测试方法，进行性能测试。
6.根据以上实验结果及分析，撰写实验报告并对我们所研究的物质做出科学合理的结论。
任务周期：
预计任务周期为3个月，根据实验进展情况进行适当调整。
任务交付：
按要求提交实验报告，包括必要的图表和数据分析，也可以作出原始数据的详细说明。