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GaN基双发光峰LED发光机理研究的中期报告
本研究旨在探索GaN基双发光峰LED的发光机理。通过对样品的制备、结构特性的分析以及光电流谱测量，得到了以下初步结果：
1.样品制备：采用金属有机气相沉积法在SiC衬底上生长GaN薄膜，制备出GaN基双发光峰LED样品。
2.结构特性分析：通过扫描电镜和透射电镜观察样品表面形貌和结构，发现样品表面平整，GaN薄膜晶体质量较好。
3.光电流谱测量：通过测量器件的光电流谱，发现样品在两个波长范围内均有较强的发光峰，分别为392nm和465nm。其中392nm对应的发光峰是由n型GaN导带上的自由电子复合h型空穴产生的，465nm对应的发光峰是由p型GaN价带上的电子复合n型GaN导带上的空穴产生的。
基于以上初步结果，我们认为GaN基双发光峰LED的发光机理是由n型GaN和p型GaN之间的电子-空穴复合共同引起的，这种复合现象导致了两个不同波长范围内的发光峰的产生。今后我们将进一步研究该发光机理，并尝试优化样品结构和电学性能，以提高器件的光电转换效率。