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单晶ZnO中杂质与缺陷的发光光谱研究的中期报告
单晶ZnO材料具有广泛的应用前景，如光电器件、传感器、发光器件等。其中，其杂质和缺陷就是影响其光学性质和电学性质的重要因素。本次报告介绍了我们团队对单晶ZnO中杂质和缺陷的发光光谱研究的中期进展。
1.实验方法
我们采用了低温荧光光谱、时域荧光寿命谱和快速荧光光谱等实验方法，对单晶ZnO中的杂质和缺陷进行了深入研究。具体实验步骤如下：
（1）制备单晶ZnO样品
我们采用氧化锌粉末和芳香族有机溶剂的混合物，通过化学气相输送法（CVD）生长出高纯度的单晶ZnO样品。
（2）低温荧光光谱实验
使用液氮冷却装置降低温度，激发样品并记录其荧光光谱。
（3）时域荧光寿命谱实验
我们利用光脉冲激发样品，使用高灵敏度的光电倍增管测量它的寿命谱。
（4）快速荧光光谱实验
我们使用飞秒激光脉冲输送样品，使用快速光电倍增管记录它的荧光光谱。
2.结果与分析
我们观察到单晶ZnO中出现了许多发光峰，如UV发光、蓝色发光、绿色发光等。我们进一步研究了这些发光峰与ZnO中杂质和缺陷之间的关系。
（1）氧空位关联的发光
我们观察到在UV区域有一个强度很弱的发光带，该发光带的波长大约为380nm，在室温下不易观察到。通过实验比对，我们认为这种发光带可能与氧空位有关。
（2）氧空位和锌空位交叉缺陷关联的发光
我们同时观察到了波长为450nm左右的蓝色发光和波长为550nm左右的绿色发光。我们发现这两种发光均与氧空位和锌空位交叉缺陷有关。
3.结论和展望
通过我们的实验结果，我们得出了以下结论：
（1）单晶ZnO中的荧光光谱包含了许多发光峰，这些发光峰与杂质和缺陷有关。
（2）氧空位和锌空位交叉缺陷是ZnO中蓝色和绿色发光的主要来源。
未来，我们将进一步研究单晶ZnO中发光性质与其电学性质之间的关系，探究如何减少杂质和缺陷对其性能的影响。