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GaAs光电阴极自动激活技术研究的中期报告
本研究旨在探索一种有效的GaAs光电阴极自动激活技术，以提高其光电发射性能。研究分为三个阶段，目前已完成前两个阶段。
第一阶段：基础实验
在这个阶段，我们制备了多组GaAs光电阴极样品，并使用电子束蒸发法在样品表面制备了不同厚度的FeGa合金层。然后，在真空室内进行氢放电处理，以形成氢化铁镓（FeGaH）化合物。最后，测试样品的电学性能和光电子发射特性。
实验结果显示，在FeGa合金层厚度为15nm时，光电子发射量最高，达到了3.5mA/cm²。此外，与传统的化合物激活方法相比，GaAs/FeGaH结构具有更好的稳定性和长期使用寿命。
第二阶段：自动化实验
在第二阶段，我们使用Python编写并安装了自动控制系统，可以实现对光电阴极样品的自动化处理。该系统包含一个气体控制系统，可以提供所需的氢气流量和压力，并监控和调节反应室内部温度和气体组成。同时，还包含一个光学控制系统，可以自动调整激光的功率和波长。
我们使用该系统对不同的GaAs光电阴极样品进行了处理。通过比较处理前和处理后的光电流强度，实验证明自动激活技术显著提高了光电阴极的发射性能。
下一步，我们将进入第三阶段，对该技术进行进一步优化和实验验证，以确定其在GaAs光电阴极应用中的可行性和可靠性。