闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109445700A(43)申请公布日2019.03.08(21)申请号201811245084.X(22)申请日2018.10.24(71)申请人江苏华存电子科技有限公司地址226300江苏省南通市高新区江海智汇园C4楼(72)发明人陈育鸣李庭育洪振洲魏智汎(51)Int.Cl.G06F3/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法(57)摘要本发明公开了一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法，包括以下步骤：步骤一：在主控芯片内部的闪存控制单元内配置状态读取指令周期控制器；步骤二：闪存控制单元内发出读取或写入指令之后，依照状态读取指令周期控制器的控制,在一定的延迟时间之后,才发出状态读取指令；步骤三：状态读取指令通过闪存控制物理层发送给闪存储存组件，按照顺序逐个读取状态指令，该发明可以避免主控在读取与写入指令的等待延迟期间需要一直对该组件不停的发出状态读取指令,影响了主控对闪存控制总线的利用率,并同时可达到节省主控端的功耗的效用。CN109445700ACN109445700A权利要求书1/1页1.一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：在主控芯片内部的闪存控制单元内配置状态读取指令周期控制器；步骤二：闪存控制单元内发出读取或写入指令之后，依照状态读取指令周期控制器的控制,在一定的延迟时间之后,才发出状态读取指令；步骤三：状态读取指令通过闪存控制物理层发送给闪存储存组件，按照顺序逐个读取状态指令。2.根据权利要求1所述的一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法，其特征在于：所述步骤一中主控芯片内部设置有闪存储存控制单元及闪存控制物理层。3.根据权利要求1所述的一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法，其特征在于：所述闪存储存控制单元内部设置有写入单元、读取单元及状态读取指令周期控制器。4.根据权利要求1所述的一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法，其特征在于：所述闪存控制物理层内部设置有若干个内存储存组件。5.根据权利要求1所述的一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法，其特征在于：所述写入单元产生状态读取指令至状态读取指令周期控制器，经过延迟时间后至闪存控制物理层内，再由读取单元从闪存控制物理层内读取状态指令。2CN109445700A说明书1/3页闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法技术领域[0001]本发明涉及主控对于闪存组件发出总线协议控制用以操作闪存组件读写流程技术领域，具体为一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法。背景技术[0002]闪存是一种长寿命的非易失性的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS、PDA、数码相机中保存资料等。[0003]现行闪存主控装置设计在发出读取或写入指令之后,在读取与写入指令的等待延迟期间,若需要以指令方式读取组件忙碌状态,便会一直对该组件不停的发出状态读取指令,这不仅影响了主控对闪存控制总线的利用率,同时也相当浪费主控端的功耗与效能，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法，在一定的延迟时间之后,才发出状态读取指令,以避免主控在读取与写入指令的等待延迟期间需要一直对该组件不停的发出状态读取指令,影响了主控对闪存控制总线的利用率,并同时可达到节省主控端的功耗的效用，以解决上述背景技术中提出的问题。[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种闪存主控装置配置状态指令轮询可调变定时器的方法，包括以下步骤：步骤一：在主控芯片内部的闪存控制单元内配置状态读取指令周期控制器；步骤二：闪存控制单元内发出读取或写入指令之后，依照状态读取指令周期控制器的控制,在一定的延迟时间之后,才发出状态读取指令；步骤三：状态读取指令通过闪存控制物理层发送给闪存储存组件，按照顺序逐个读取状态指令。[0006]优选的，所述步骤一中主控芯片内部设置有闪存储存控制单元及闪存控制物理层。[0007]优选的，所述闪存储存控制单元内部设置有写入单元、读取单元及及状态读取指令周期控制器。[0008]优选的，所述闪存控制物理层内部设置有若干个内存储存组件。[0009