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CMOS集成电路的ESD防护研究的中期报告
该报告旨在介绍CMOS集成电路的ESD防护研究的中期成果，包括以下内容：
1.介绍了ESD的基本概念和危害，以及防护措施的重要性。
2.综述了现有的CMOS集成电路ESD防护技术，包括传统的单电荷放电保护、瞬态电感保护、热释电保护等技术，以及最近研究的压电效应保护、锁定电荷保护等新技术。
3.介绍了本研究采用的ESD测试方法，包括室温下的人体模拟放电(HBM)、直接放电(CDM)和电感耦合放电(ICDM)测试，以及高低温环境下的ESD测试。
4.介绍了本研究在CMOS电路中应用压电效应的ESD保护技术的研究进展。该方法通过在电路中引入压电材料，在ESD事件发生时产生压电效应，使电路中的电荷得以逸出，从而实现ESD保护。本研究对该方法进行了电路设计、模拟仿真和实验验证，并提出了改进措施。
5.介绍了本研究在CMOS电路中应用锁定电荷的ESD保护技术的研究进展。该方法通过在电路中引入锁定电荷结构，在ESD事件发生时将电荷锁定在该结构中，从而保护电路。本研究对该方法进行了电路设计、模拟仿真和实验验证，并提出了改进措施。
6.总结了本研究的中期成果，并提出了未来研究方向和工作计划。