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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109623553A(43)申请公布日2019.04.16(21)申请号201811588512.9(22)申请日2018.12.25(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人陈光林郑秉胄(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人贾玉李东玲(51)Int.Cl.B24B9/06(2006.01)B24B41/04(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种倒角磨轮、倒角研磨装置及研磨方法(57)摘要本发明提供一种倒角磨轮、倒角研磨装置及研磨方法,其中,倒角磨轮包括磨轮本体以及周向设置在所述磨轮本体的外周面上的至少两个研磨槽,所述至少两个研磨槽沿所述磨轮本体的轴线间隔分布。根据本发明实施例的倒角磨轮可以对应的加工两个以上的工件,提高了工作效率。CN109623553ACN109623553A权利要求书1/2页1.一种倒角磨轮,其特征在于,包括磨轮本体以及周向设置在所述磨轮本体的外周面上的至少两个研磨槽,所述至少两个研磨槽沿所述磨轮本体的轴线间隔分布。2.根据权利要求1所述的倒角磨轮,其特征在于,所述至少两个研磨槽中具有至少两个开口宽度不同的研磨槽。3.根据权利要求2所述的倒角磨轮,其特征在于,所述至少两个研磨槽中各研磨槽的开口宽度均不同。4.根据权利要求1所述的倒角磨轮,其特征在于,所述研磨槽的槽底的宽度小于开口的宽度。5.根据权利要求4所述的倒角磨轮,其特征在于,所述研磨槽在所述磨轮本体的轴向方向上的截面为一端开口的等腰梯形。6.一种倒角研磨装置,其特征在于,包括:研磨机构,所述研磨机构包括主轴;倒角磨轮,所述倒角磨轮安装在所述主轴上,并在所述主轴的带动下旋转,所述倒角磨轮为如权利要求1-4任一项所述的倒角磨轮;以及至少两个载台,所述至少两个载台围绕在所述研磨机构的外周设置,所述载台包括旋转轴,所述旋转轴用于安装工件,并带动所述工件旋转,以使所述倒角磨轮对工件进行研磨。7.根据权利要求6所述的倒角研磨装置,其特征在于,还包括研磨支架,每一个所述载台对应安装在一个所述研磨支架上,所述研磨支架包括:第一驱动机构,用于驱动所述载台沿第一水平方向移动;第二驱动机构,用于驱动所述载台沿第二水平方向移动,第二水平方向与第一水平方向垂直;以及第三驱动机构,用于驱动所述载台沿垂直方向移动。8.根据权利要求7所述的倒角研磨装置,其特征在于,还包括支撑台,所述研磨支架与所述研磨机构安装在所述支撑台上。9.一种倒角研磨方法,其特征在于,应用于如权利要求6-8中任一项所述的倒角研磨装置,所述方法包括:在至少两个载台上分别放置工件;调整每一所述载台,使得每一所述载台上的工件的一端放置在所述倒角磨轮的与所述工件对应的研磨槽内;控制所述载台和/或所述研磨机构的主轴旋转,以同时对所述至少两个载台上的所述工件进行加工。10.根据权利要求9所述的倒角研磨方法,其特征在于,所述研磨机构的倒角磨轮的至少两个研磨槽中具有至少两个开口宽度不同的研磨槽;调整每一所述载台,使得每一所述载台上的工件的一端放置在所述倒角磨轮的与所述工件对应的研磨槽内,包括:调整每一所述载台,使得每一所述载台上的工件的一端放置在所述倒角磨轮的与所述工件厚度对应的研磨槽内。11.根据权利要求9所述的倒角研磨方法,其特征在于,所述研磨装置还包括如权利要2CN109623553A权利要求书2/2页求7所述的研磨支架,所述调整每一所述载台,使得每一所述载台上的工件的一端放置在所述倒角磨轮的与所述工件的厚度对应的研磨槽内包括:控制所述载台在第一水平方向、第二水平方向和/或垂直方向移动,以使所述载台上的工件的一端放置在所述倒角磨轮的与所述工件对应的研磨槽内。3CN109623553A说明书1/6页一种倒角磨轮、倒角研磨装置及研磨方法技术领域[0001]本发明涉及半导体单晶硅片加工技术领域,特别涉及一种倒角磨轮、倒角研磨装置及研磨方法。背景技术[0002]晶圆(Wafer)作为半导体领域最主要的材料,是目前市场紧缺型资源。一般单晶硅片经过长晶(Growing),切片(Slicing),倒角(EdgeGrinding),研磨(Lapping)等多次加工,最终得到表面平坦度好,边缘形貌圆润的半导体级晶圆片,其中倒角工艺作为其中一个主要工艺,承担着修整边缘损伤,满足客户对晶圆轮廓的需求,释放内应力等重要作用,对晶圆的产能及品质要求至关重要。[0003]在传统的倒角研磨工艺中,研磨系统由单个槽间距相同的倒角磨轮,在三维空间,如坐标系中的X轴,Y轴,Z轴方向以及圆周方向可自由运动的研磨台组成,加工工序经过硅片的搬运、校