用于晶片加工组件的密封件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109844924A(43)申请公布日2019.06.04(21)申请号201780063001.2(74)专利代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司1(22)申请日2017.10.101327代理人李琳陈英俊(30)优先权数据15/290,2372016.10.11US(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/687(2006.01)2019.04.11H01L21/02(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C23C16/44(2006.01)PCT/US2017/0559052017.10.10(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/071402EN2018.04.19(71)申请人维易科仪器有限公司地址美国纽约(72)发明人I·孔施B·S·斯诺登G·威廉姆斯D·甘特A·弗雷泽权利要求书2页说明书7页附图8页(54)发明名称用于晶片加工组件的密封件(57)摘要一种具有以下横截面轮廓的密封件，该横截面轮廓包括第一叶部、第二叶部、角度在45度至90度之间(包括45度和90度)的角部、从第一叶部延伸到角部的第一侧部和从第二叶部延伸到角部的第二侧部，其中，第一侧部和第二侧部限定角部的角度。密封件可以保持在凹槽中，使得第一叶部和角部位于凹槽中，并且第二叶部从凹槽延伸。在使用中，第二叶部折叠到凹槽中，以形成流体密封。CN109844924ACN109844924A权利要求书1/2页1.一种密封件，所述密封件保持在凹槽中，所述凹槽由内壁、外壁和底壁限定，所述密封件具有横截面轮廓，所述横截面轮廓包括：第一叶部、第二叶部、角部、从所述第一叶部延伸到所述角部的第一侧部以及从所述第二叶部延伸到所述角部的第二侧部；所述第一叶部限定最外侧表面；所述角部限定最内侧表面；所述密封件在所述第一叶部邻近所述外壁、所述第一侧部邻近所述底壁并且所述角部和所述第二侧部邻近所述内壁的状态下被保持。2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述角部具有由所述第一侧部和所述第二侧部限定的角度，所述角度在45度和90度之间，包括45度和90度。3.根据权利要求2所述的组件，其中，所述角部的所述角度在45度和75度之间，包括45度和75度。4.根据权利要求1所述的组件，其中，所述密封件具有从所述角部延伸并且在所述第一叶部和所述第二叶部之间的对称线。5.根据权利要求1所述的组件，其中，所述第二叶部伸出所述凹槽之外。6.根据权利要求5所述的组件，其中，所述第二叶部伸出所述凹槽之外至少0.016英寸。7.根据权利要求1所述的组件，其中，所述第二侧部在所述内壁的整个长度上抵靠所述内壁。8.根据权利要求1所述的组件，其中，所述第二侧部在邻近所述底壁处抵靠所述内壁。9.根据权利要求1所述的组件，其中，所述密封件包括弹性体。10.根据权利要求9所述的组件，其中，所述密封件包括含氟弹性体。11.一种密封件，所述密封件具有横截面轮廓，所述横截面轮廓包括第一叶部、第二叶部、角部、从所述第一叶部延伸到所述角部的第一侧部和从所述第二叶部延伸到所述角部的第二侧部，所述角部的角度在45度和90度之间，包括45度和90度，所述第一侧部和所述第二侧部限定所述角部的所述角度。12.根据权利要求11所述的密封件，其中，所述角部的所述角度在45度和75度之间，包括45度和75度。13.根据权利要求12所述的密封件，所述密封件具有从所述角部延伸并且在所述第一叶部和所述第二叶部之间的对称线。14.根据权利要求11所述的密封件，所述密封件包括弹性体。15.根据权利要求14所述的密封件，所述密封件包括含氟弹性体。16.一种在具有凹槽的第一部分以及第二部分之间提供流体密封的方法，所述方法包括：将多叶密封件保持在所述凹槽中，使得所述密封件的第一叶部和角部完全位于所述凹槽中并且第二叶部的一部分伸出所述凹槽之外；以及将所述第二部分放置在所述第一部分上，使得所述第二叶部折叠到所述凹槽中。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述密封件具有从所述角部延伸并且在所述第一叶部和所述第二叶部之间的对称线。18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述密封件是具有中心点的圆，并且所述密封2CN109844924A权利要求书2/2页件的所述角部最靠近所述中心点。3CN109844924A说明书1/7页用于晶片加工组件的密封件背景技术[0001]许多半导体器件是通过在诸如晶片(例如，硅晶片)的基板上执行的工艺形成的。例如，许多半导体器件是通过使用CVD(化学气相沉积)系统(例如，MOCVD(金属有机CVD)系统)生长连续的金属氧化物层而形成的。在这种工艺中，晶片暴露于流经晶片表面的一种气体