AlGaNGaN异质结器件的肖特基接触研究的综述报告.docx

AlGaNGaN异质结器件的肖特基接触研究的综述报告
背景介绍：

随着半导体技术的不断发展，AlGaN/GaN异质结器件也逐渐成为了研究的热点。AlGaN/GaN异质结器件具有Thermal稳定性好、高承压能力、高速开关特性、高寿命及高分辨率等特点。其中，肖特基接触是影响器件性能和可靠性的一个重要因素。因此，研究AlGaN/GaN异质结器件的肖特基接触是十分必要的。

研究进展：

AlGaN/GaN异质结器件的肖特基接触研究涉及到多个方面，包括肖特基金属选择、表面处理、肖特基接触判别及器件表征等。

（1）肖特基金属选择：

肖特基金属选择是影响肖特基接触电学性质和参数的关键因素。Tanaka等人使用Pt/Ti/Au等金属作为肖特基金属，发现Pt/Ti/Au肖特基接触具有高的正向电阻和漏电流，而Au/Ni/Cr/Au肖特基接触具有更低的正向电阻和漏电流。Yan等人发现Ni/Au/Ni肖特基接触也具有优良的电学性能和温度稳定性。因此，选择适合的肖特基金属对于优化AlGaN/GaN异质结器件的特性具有重大意义。

（2）表面处理：

在AlGaN/GaN异质结器件的肖特基接触中，物理表面处理可以影响生成肖特基接触的物理和电学特性。在干法大气等离子体（DEAP）表面处理下，Tana等人发现Pt/Ti/Au肖特基接触具有最佳的正向电流-电压（I-V）特性和良好的重复性，而Wetammonia表面处理可使Au/TiB2/Ni肖特基接触的正向电流-电压特性优化。因此，适当的物理表面处理可以大大改善肖特基接触的性能。

（3）肖特基接触判别：

研究者通常使用肖特基接触电流-电压（I-V）特性、接触电阻、逆向漏电流和容积反向比等参数来判断AlGaN/GaN异质结器件的肖特基接触是否良好。偏置电压对于正向电流-电压特性和逆向漏电流的影响也需要考虑。比如，在-5V偏置下，Rajeswaran等人发现Zr/Ag/Au肖特基接触具有最佳的I-V特性和逆向漏电流。因此，适当的偏压对于肖特基接触判别也是极为重要的。

（4）器件表征：

AlGaN/GaN异质结器件的肖特基接触还需要通过器件表征来验证肖特基接触的性质和特性。Molnár等人使用反向漏电流-温度特性研究肖特基接触对温度变化的敏感性。Takwan等人则使用恒流源和化合物半导体分析仪（CA）检查了周期性压电场对肖特基接触漏电流的影响。

结论：

AlGaN/GaN异质结器件的肖特基接触是影响器件性能和可靠性的一个重要因素。在肖特基金属选择、表面处理、肖特基接触判别及器件表征等方面的研究中，研究者发现采用Ni/Au/Ni肖特基金属和DEAP表面处理产生的Pt/Ti/Au肖特基接触具有良好的电学特性和稳定性。并且，适当的偏压和器件表征可以进一步证明肖特基接触的性质和特性。未来，我们需要更深入的研究AlGaN/GaN异质结器件的肖特基接触对器件性能和可靠性的影响，以推动其在电力、通信、照明、交通等领域的广泛应用。