一种用于读写DDR内存的延时参数优化方法和系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110428856A(43)申请公布日2019.11.08(21)申请号201910686409.6(22)申请日2019.07.29(71)申请人珠海市一微半导体有限公司地址519000广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-514(72)发明人林立丘恒良(51)Int.Cl.G11C7/22(2006.01)G11C7/10(2006.01)G06F13/16(2006.01)权利要求书3页说明书10页附图3页(54)发明名称一种用于读写DDR内存的延时参数优化方法和系统(57)摘要本发明一种用于读写DDR内存的延时参数优化方法和系统，该延时参数优化方法包括：按照预设步长调节设置DDR时钟频率；每按照预设步长调节一次DDR时钟频率，轮番将写延时参数和读延时参数中的一种固定配置在DDR控制器中，另一种则由DDR控制器控制在一个可用延时区间内遍历筛选；当DDR时钟频率被调节为目标DDR频率值时，控制DDR控制器配置前述获取的写延时参数和读延时参数，实现目标DDR频率值下利用最优的时间采样窗口读写DDR内存中的数据。本发明利用写延时参数和读延时参数配置形成的最优的时间采样窗口读写DDR内存中的数据，提高读写DDR内存的准确性和可靠性。CN110428856ACN110428856A权利要求书1/3页1.一种用于读写DDR内存的延时参数优化方法，其特征在于，该延时参数优化方法包括：按照预设步长调节设置DDR时钟频率；每按照预设步长调节一次DDR时钟频率，轮番将写延时参数和读延时参数中的一种固定配置在DDR控制器中，另一种则由DDR控制器控制在一个可用延时区间内遍历筛选；当DDR时钟频率被调节为目标DDR频率值时，控制DDR控制器配置前述获取的写延时参数和读延时参数，实现目标DDR频率值下利用最优的时间采样窗口读写DDR内存；其中，可用延时区间设置在DDR控制器当前采样的数据对应的脉冲宽度范围内。2.根据权利要求1所述延时参数优化方法，其特征在于，该延时参数优化方法具体包括：步骤1、根据所述DDR时钟频率与所述DDR控制器的延时性能，预先配置所述DDR控制器初次正常写入所述DDR内存时的所述写延时参数；步骤2、通过设置可用读延时区间来控制所述DDR控制器从该可用读延时区间中筛选出待调节读延时参数，其中，配置的可用读延时区间覆盖所述DDR控制器当前读取的所述DDR内存中的数据对应的采样区间；步骤3、为所述DDR控制器配置待调节读延时参数后，通过设置可用写延时区间来控制所述DDR控制器从该可用写延时区间中筛选出待调节写延时参数，其中，配置的可用写延时区间覆盖所述DDR控制器当前写入所述DDR内存中的数据对应的采样区间；步骤4、按照所述预设步长调节所述DDR时钟频率，同时为所述DDR控制器配置待调节写延时参数；步骤5、重复步骤2至步骤4，直到调节后的DDR时钟频率变为所述目标DDR频率值；其中，所述可用延时区间包括可用读延时区间和可用写延时区间。3.根据权利要求2所述延时参数优化方法，其特征在于，所述通过设置可用读延时区间来控制DDR控制器从该可用读延时区间中筛选出待调节读延时参数的具体方法包括：根据所述DDR内存的数据对应的脉冲信号，设置读遍历延时点和所述可用读延时区间，使得所述可用读延时区间覆盖所述DDR控制器当前读取的所述DDR内存的数据对应的采样区间；其中，读遍历延时点包括所述可用读延时区间的中间位置；在所述可用读延时区间内的读遍历延时点中确定读遍历延时起点，控制所述DDR控制器从读遍历延时起点开始按照预设方向遍历读遍历延时点，其中，读遍历延时点包括读遍历延时起点；判断所述DDR控制器按照当前遍历的读遍历延时点对应的延时参数是否正常读取DDR内存中的数据，是则继续遍历下一个读遍历延时点，否则停止遍历，并将可用读延时区间的中间位置处的读遍历延时点对应的延时参数作为所述待调节读延时参数；其中，预设方向为与读遍历延时起点所处的电平状态相同且远离读遍历延时起点的方向，下一个读遍历延时点是预设方向上与当前遍历的读遍历延时点相邻的读遍历延时点；所述通过设置可用写延时区间来控制所述DDR控制器从该可用写延时区间中筛选出待调节写延时参数的具体方法包括：根据所述DDR内存的数据对应的脉冲信号，设置写遍历延时点和所述可用写延时区间，使得所述可用写延时区间覆盖所述DDR控制器当前写入所述DDR内存的数据对应的采样区2CN110428856A权利要求书2/3页间；其中，写遍历延时点包括所述可用写延时区间的中间位置；在所述可用写延时区间内确定写遍历延时起点，控制所述DDR控制器从写遍历延时起点开始按照预设方向遍历写遍历延时点，其中，写遍历延时点包括写遍历延时起点；判断DDR控制器