一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110539211A(43)申请公布日2019.12.06(21)申请号201910831678.7(22)申请日2019.09.04(71)申请人内蒙古中环光伏材料有限公司地址010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号(72)发明人匡文军马洋郭鑫乐梁志慧蔺永生贡艺强史彦龙高润飞谷守伟徐强(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图2页(54)发明名称一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法(57)摘要本发明提供一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，包括以下步骤：将切方后的毛坯硅方棒放置到磨削机上，依次用粗砂轮对所述硅方棒进行粗磨加工和用精砂轮对所述硅方棒进行精磨加工；所述粗磨加工和所述精磨加工均包括对所述硅方棒的倒角和平面进行磨削加工。本发明设计的磨削加工方法，尤其是适用于横截面对角尺寸为230-310mm的大尺寸硅方棒单晶的磨削加工，可降低硅方棒表面出现的砂轮印，硅方棒表面粗糙度合格且一致性较好，保证硅方棒产品质量，提高硅方棒的合格率。CN110539211ACN110539211A权利要求书1/1页1.一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，包括以下步骤：将切方后的毛坯硅方棒放置到磨削机上，依次用粗砂轮对所述硅方棒进行粗磨加工和用精砂轮对所述硅方棒进行精磨加工；所述粗磨加工和所述精磨加工均包括对所述硅方棒的倒角和平面进行磨削加工。2.根据权利要求1所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，在对所述硅方棒的倒角进行粗磨加工和精磨加工时，所述粗砂轮和所述精砂轮均为定位同步同向旋转；所述硅方棒相对于所述粗砂轮和所述精砂轮的中心轴线方向水平移动，且所述硅方棒旋转的方向与所述粗砂轮和所述精砂轮旋转的方向相同。3.根据权利要求1所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，在对所述硅方棒的平面进行粗磨加工和精磨加工时，所述粗砂轮和所述精砂轮均为定位同步同向旋转；所述硅方棒相对于所述粗砂轮和所述精砂轮的中心轴线方向水平移动。4.根据权利要求1-3任一项所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，所述粗磨加工过程中使用同一种所述粗砂轮，所述粗砂轮粒度为150-250目，粗砂轮直径为230-270mm。5.根据权利要求4所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，所述精磨加工过程中使用同一种所述精砂轮，所述精砂轮粒度为800-1000目，所述精砂轮直径为250-290mm。6.根据权利要求5所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，在所述粗磨加工工过程中，所述粗砂轮转速为2500-3500rpm/min；在所述精磨加工工过程中，所述精砂轮转速为2500-3500rpm/min。7.根据权利要求7所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，在粗磨所述硅方棒倒角过程中，所述粗砂轮进给量为5-10mm/次；在精磨所述硅方棒倒角过程中，所述精砂轮进给量为0.2-0.5mm/次。8.根据权利要求8所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，在粗磨所述硅方棒平面过程中，所述粗砂轮进给量为0.2-0.5mm/次；在精磨所述硅方棒过程中，所述精砂轮进给量为0.03-0.05mm/次。9.根据权利要求1-3、5-8任一项所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，还包括在所述粗磨加工之前和所述精磨加工之后均需对所述硅方棒横截面的边长和对角线进行检测。10.根据权利要求9所述的一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，其特征在于，所述硅方棒横截面为正四边形结构，所述硅方棒横截面的对角尺寸为230-310mm。2CN110539211A说明书1/8页一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法技术领域[0001]本发明属于太阳能硅片金刚石线切割技术领域，尤其是涉及一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法。背景技术[0002]目前太阳能用硅片市场中，大尺寸硅片的单位面积的发电量更适应于现有电池端技术的市场需求，在加工硅片之前，需要先将硅圆棒去边皮后形成毛坯方棒，再对毛坯方棒进行磨削加工，磨削加工的尺寸是硅片加工是否精准的基础，故对毛坯硅方棒的磨削控制非常重要。而现有方棒是由直径尺寸为230mm以下的圆棒加工而成的，但按照目前辅料的规格(砂轮)和加工方法，无法适应直径为230-310mm的大尺寸硅圆棒单晶的磨削加工，会造成硅方棒表现异常，硅方棒表面出现砂轮印，以及硅方棒表面粗糙度异常等技术问题。发明内容[0003]本发明要解决的问题是提供一种大尺寸单晶硅方棒磨削加工方法，尤其是适用于横截面对角尺寸为230-310mm的大尺