一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111702565A(43)申请公布日2020.09.25(21)申请号202010630260.2(22)申请日2020.07.03(71)申请人中国电子科技集团公司第九研究所地址621000四川省绵阳市滨河北路西段268号(72)发明人孔伟任仕晶鲜聪廖杨陈建杰袁红兰冯涛王谦(74)专利代理机构绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙)51235代理人黎仲(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24B57/02(2006.01)H01P11/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法(57)摘要本发明公开了一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法，属于微波技术领域，包括以下步骤：（A）配置直径为的板状结晶氧化铝抛光液；（B）将步骤（A）得到的氧化铝抛光液配合压缩纤维抛光垫对待抛光铁氧体基片进行第一轮抛光，得到半成品；（C）配置球状结晶氧化铝抛光液；（D）用步骤（C）得到的氧化铝抛光液配合阻尼布抛光垫对步骤（B）得到的半成品进行第二轮抛光，得到表面粗糙度为10nm～20nm的产品；本发明所得的大尺寸铁氧体基片可以提高光刻的加工效率，达到一次加工多片成品，其生产效率提高了数倍；本加工方法能满足铁氧体基片对表面平面度和光洁度的要求，同时能够大幅缩短抛光时间，减少在加工过程中的不稳定因素导致的产品破损。CN111702565ACN111702565A权利要求书1/1页1.一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：（A）配置直径为的板状结晶氧化铝抛光液；（B）将步骤（A）得到的氧化铝抛光液配合压缩纤维抛光垫对待抛光铁氧体基片进行第一轮抛光，得到半成品；（C）配置球状结晶氧化铝抛光液；（D）用步骤（C）得到的氧化铝抛光液配合阻尼布抛光垫对步骤（B）得到的半成品进行第二轮抛光，得到表面粗糙度为10nm～20nm的产品。2.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（A）中板状结晶氧化铝的直径为1μm～3μm。3.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（B）中，所述压缩纤维抛光垫的肖氏硬度为57～75。4.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（B）中，所述半成品的厚度为0.3mm～4mm、平面度小于2μm、粗糙度为50nm～80nm。5.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（C）中球状结晶氧化铝的直径为0.5μm～1μm。6.根据权利要求1所述的一种大尺寸铁氧体基片的抛光方法，其特征在于，步骤（D）中，所述阻尼布抛光垫的肖氏硬度为35～43。7.权利要求1-6任意一项的方法所制得的大尺寸铁氧体基片，其特征在于：所述大尺寸铁氧体基片外形尺寸为：直径101.8mm～200mm的圆形或其他任意多边形，所述任意多边形的外接接圆直径为101.8mm～200mm；厚度为0.3mm～4mm。2CN111702565A说明书1/4页一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法技术领域[0001]本发明涉及微波技术领域，尤其涉及一种大尺寸铁氧体基片及其抛光方法。背景技术[0002]小尺寸铁氧体基片，也称“小型铁氧体基片”，一般是指直径为16mm～100mm圆形或其他任意多边形(多边形外接圆直径为16mm～100mm)。[0003]目前，对于这类小尺寸铁氧体基片的加工尤其是抛光方法为：采用粒径为3～6μm氧化铝抛光粉溶液或钻石溶液配合铸铁或聚氨酯进行一次加工，然后再使用粒径为1μm氧化铝、氧化铈配合阻尼布进行二次加工。[0004]上述的小尺寸铁氧体基片抛光方法，至少存在以下缺点：[0005]首先，小型铁氧体基片的光刻加工存在加工效率低的问题，光刻加工花费的时间主要受加工次数影响而不在于加工产品的尺寸。并且，在小型铁氧体基片的研磨加工和抛光加工过程中，摆放小型工件会消耗大量的人力和时间，同时由于工件小，一些工件会因为失误没有被夹具固定牢固，在研磨或抛光的时候工件离开夹具，从而导致其他工件产生划伤、裂纹，甚至将一整批工件全部破坏。[0006]然后，器件对小型铁氧体基片的物理性能，如硬度、抗拉强度等有较高要求。[0007]为了解决上述问题，本领域也尝试进行大尺寸铁氧体基片也称为大型铁氧体基片的抛光加工，本发明的大尺寸铁氧体基片，是指直径101.8mm～200mm圆形或其他任意多边形(多边形外接圆直径为101.8mm～200mm)。但是，目前针对大尺寸铁氧体基片的抛光加工往往存在表面粗糙度不均匀和平面度较差的问题,表面粗糙度不均匀主要体现在部分表面在光照下能看到类似白雾的痕迹，白雾上会有花纹。[0008]而前述