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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111796719A(43)申请公布日2020.10.20(21)申请号202010667845.1(22)申请日2020.07.13(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人成都京东方光电科技有限公司(72)发明人张元其张毅王威(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262代理人曲鹏解婷婷(51)Int.Cl.G06F3/041(2006.01)G06F3/044(2006.01)权利要求书2页说明书19页附图11页(54)发明名称触控结构和触控显示面板(57)摘要本公开提供了一种触控结构和触控显示面板。触控结构包括第一区域和第二区域,第一区域中的触控电极为轮廓未缺失的触控电极,第二区域中的触控电极为轮廓有缺失的触控电极;第一区域中的触控电极包括第一交界电极,第二区域中的触控电极包括第二交界电极;第一交界电极包括第一侧边,第二交界电极包括第二侧边;第一侧边和第二侧边设置有补偿结构,补偿结构配置为使第一侧边与第二侧边之间形成补偿交界线,补偿交界线的长度大于基准交界线的长度。本公开增加了第一交界电极与第二交界电极之间补偿交界线的长度,使得轮廓有缺失的触控电极的互容值和容差值与轮廓未缺失的触控电极的互容值和容差值趋于一致,提高了触控性能均一性。CN111796719ACN111796719A权利要求书1/2页1.一种触控结构,包括第一区域和第二区域,所述第一区域中的触控电极为轮廓未缺失的触控电极,所述第二区域中的触控电极为轮廓有缺失的触控电极;所述第一区域中的触控电极包括至少一个与所述第二区域中的触控电极邻接的第一交界电极,以及至少一个不与所述第二区域中的触控电极邻接的第一非交界电极,所述第二区域中的触控电极包括至少一个与所述第一交界电极邻接的第二交界电极;所述第一交界电极包括与所述第二交界电极邻接的第一侧边,所述第二交界电极包括与所述第一交界电极邻接的第二侧边;所述第一侧边和第二侧边设置有补偿结构,所述补偿结构配置为使所述第一侧边与第二侧边之间形成补偿交界线,所述补偿交界线的长度大于基准交界线的长度;所述基准交界线是所述第一非交界电极的一个侧边与邻接的触控电极的一个侧边之间形成的交界线。2.根据权利要求1所述的触控结构,其特征在于,所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凸起和设置在所述第二侧边上的第二凹槽,所述第一凸起设置在所述第二凹槽内,使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线;或者,所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凹槽和设置在所述第二侧边上的第二凸起,所述第二凸起设置在所述第一凹槽内,使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线;或者,所述补偿结构包括设置在所述第一侧边上的第一凸起和第一凹槽,以及设置在所述第二侧边上的第二凸起和第二凹槽,所述第一凸起设置在所述第二凹槽内,所述第二凸起设置在所述第一凹槽内,使所述第一侧边和第二侧边形成折线形的补偿交界线。3.根据权利要求2所述的触控结构,其特征在于,所述第一凸起设置在相邻的第一凹槽之间,所述第二凸起设置在相邻的第二凹槽之间。4.根据权利要求3所述的触控结构,其特征在于,所述第一凸起的宽度为相邻的第二凹槽之间距离的1/5~2/3,所述第二凸起的宽度为相邻的第一凹槽之间距离的1/5~2/3。5.根据权利要求2所述的触控结构,其特征在于,所述第一侧边上的第一凸起的数量为1个~5个,所述第一侧边上的第一凹槽的数量为1个~5个,所述第二侧边上的第二凸起的数量为1个~5个,所述第二侧边上的第二凹槽的数量为1个~5个。6.根据权利要求2所述的触控结构,其特征在于,所述第一凸起、第二凸起、第一凹槽和第二凹槽的形状包括如下任意一种或多种:三角形、矩形、梯形、半圆形和半椭圆形。7.根据权利要求1~6任一项所述的触控结构,其特征在于,所述第一非交界电极的侧边和邻接的触控电极的侧边设置有基准凸起,或者设置有基准凹槽,或者设置有基准凸起和基准凹槽,形成折线形的基准交界线。8.根据权利要求7所述的触控结构,其特征在于,所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凸起的数量大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凸起的数量;或者,所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凹槽的数量大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凹槽的数量;或者,所述第一交界电极的第一侧边上设置第一凸起和第一凹槽的数量分别大于所述第一非交界电极的侧边上设置基准凸起和基准凹槽的数量。9.根据权利要求7所述的触控结构,其特征在于,所述第一交界电极的第一凸起的高度大于所述第一非交界电极的基准凸起的高度;或者,所述第一交界电极的第一凹槽的深度2CN111796719A权利要求书2/2页大于所述第一非