宽超带inasinp量子点、量子线激光器的研究.doc

邯郸学院本科毕业论文

题目超宽带InAs/InP量子点、量子线激光器的研究
学生
指导教师讲师
年级2007级
专业物理学
二级学院物理与电气工程系
（系、部）

邯郸学院物理与电气工程系
2011年5月

郑重声明

本人的毕业论文是在指导教师杨新荣老师的指导下独立撰写完成的。如有剽窃、抄袭、造假等违反学术道德、学术规范和侵权的行为，本人愿意承担由此产生的各种后果，直至法律责任，并愿意通过网络接受公众的监督。特此郑重声明。

毕业论文作者（签名）：

年月日

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摘要利用固源MBE设备生长出光谱较宽的InAs/InP量子点或量子线材料，对InAs/InAlGaAs/InP(001)体系利用PL（光致发光）谱对其光学特性进行了测试和研究，并对有失配间隔层的样品中所出现的多峰结构进行了表征，对其在15K-50K范围内PL强度随温度增加的奇异现象进行了初步的分析探讨。
关键词InAs/InP量子点量子线激光器超宽带
StudyofInAs/InPquantumdashlasterwithultrawide-gainbandwidth
WangWeiDerictedbyLecturerYangXinrong
AbstractSelf-assembledInAsquantumwires(dots)havebeengrownonaInPsubstratebysolid-sourcemolecularbeamepitaxy(SSMBE).Photoluminescencespectrawereinvestigatedinthesenanostructures.Themulti-peakstructureofthesamplewiththelattice-mismatchmatrixlayerwascharacterized.AnanomalousenhancementofPLintensitywasobservedfromInAsnanostructuresgrownonInPsubstrateusingInAlGaAsasthematrixlayerandtheorigimnofthisphenomenonisdiscussed.
KeywordsInAs/InPquantumdots(wires)laserUltra-wideband

目录

TOC\o\h\z\uHYPERLINK\l"_Toc294614954"摘要 PAGEREF_Toc294614954\hI
HYPERLINK\l"_Toc294614955"Abstract PAGEREF_Toc294614955\hII
HYPERLINK\l"_Toc294614956"1引言 PAGEREF_Toc294614956\h1
HYPERLINK\l"_Toc294614957"2背景介绍 PAGEREF_Toc294614957\h1
HYPERLINK\l"_Toc294614958"2.1理论原理 PAGEREF_Toc294614958\h1
HYPERLINK\l"_Toc294614959"2.2研究现状及学术价值 PAGEREF_Toc294614959\h1
HYPERLINK\l"_Toc294614960"2.3应用前景 PAGEREF_Toc294614960\h2
HYPERLINK\l"_Toc294614961"3实验 PAGEREF_Toc294614961\h2
HYPERLINK\l"_Toc294614962"3.1样品结构及生长制备 PAGEREF_Toc294614962\h2
HYPERLINK\l"_Toc294614963"3.2PL（光致发光）谱实验结果及分析 PAGEREF_Toc294614963\h4
HYPERLINK\l"_Toc294614964"4结论 PAGEREF_Toc294614964\h8
HYPERLINK\l"_Toc294614965"参考文献： PAGEREF_Toc294614965\h8
HYPERLINK\l"_Toc294614966"致谢 PAGEREF_Toc294614966\h10


超宽带InAs/InP基量子点量子线激光器的研究

1引言
低维半导体材料是目前最活跃的研究领域之一，半导体材料的低维结构包括二维的量子阱(QW)和超晶格(SL)、一维的量子线(QWR)以及零维的量子点(QD)。若是低维半导体材料在一个或多个方向上的尺度与电子的德