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N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号见图 4.1。其中: D(Drain)为漏极,相当c; G(Gate)为栅极,相当b; S(Source)为源极,相当e。 图4.1N沟道增强型 MOSFET结构示意图(动画)P沟道增强型MOSFET的结构和工作原理