41 MOS场效应晶体管的结构 工作原理.ppt
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41 MOS场效应晶体管的结构 工作原理.ppt
N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图4.1。其中:D(Drain)为漏极,相当c;G(Gate)为栅极,相当b;S(Source)为源极,相当e。图4.1N沟道增强型MOSFET结构示意图(动画)P沟道增强型MOSFET的结构和工作原理
MOS场效应晶体管.ppt
4.1MOS结构与基本性质4.1.1理想MOS结构与基本性质1.理想MOS二极管的定义与能带1)在外加零偏压时,金属功函数与半导体函数之间没有能量差,或两者的功函数差qφms为零2)在任何偏置条件下,MOS结构中的电荷仅位于半导体之中,而且与邻近氧化层的金属表面电荷数量大小相等,但符号相反。3)氧化膜是一个理想的绝缘体,电阻率为无穷大,在直流偏置条件下,氧化膜中没有电流通过。2.表面势与表面耗尽区在下面的讨论中,定义与费米能级相对应的费米势为而空穴和电子的浓度也可表示为ψ的函数通过以上讨论,以下各区间的表
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mos工作原理.ppt
上次课内容三极管的结构及分类三极管的电流分配及电流放大作用三极管的三种工作状态及各自特点三极管的主要参数及安全工作区域举例说明三极管工作状态的特点2-2-1绝缘栅场效应管(MOS管)N沟道耗尽型N二、MOS管的工作原理PUGS较小时,导电沟道相当于电阻将D-S连接起来,UGS越大此电阻越小。UT(VT)一个重要参数——跨导gmN沟道增强型MOS管的基本特性uGS<UT,管子截止uGS>UT,管子导通uGS越大,沟道越宽,在相同的漏源电压uDS作用下,漏极电流ID越大四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线N沟道
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3.1双端MOS结构M-V+-V+2、耗尽区宽度金属氧化物p型半导体3、栅压4、平带电压5、阈值电压5、阈值电压5、阈值电压6、电荷分布7、MOS电容模型8、理想C-V特性8、理想C-V特性9、非理想效应9、非理想效应3.2MOS场效应晶体管1、MOSFET的结构及工作原理1、MOSFET的结构及工作原理1、MOSFET的结构及工作原理2、电流-电压关系(定性)(小的漏源电压作用)2、电流-电压关系(定性)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定量)3、电流-电压关系(定