实验2双端口存储器原理实验.doc

三、接线
固定接线
RS_BUS#接+5V，禁止寄存器堆RF向DBUS送数。
IAR_BUS#接+5V，禁止中断地址寄存器IAR向DBUS送数。
ALU_BUS接GND，禁止运算器ALU向DBUS输出数据。
AR1_INC接GND，禁止地址寄存器进行AR1+1→AR1操作。
M3接+5V，使地址寄存器AR2从DBUS取得地址数据。
其他控制信号线
SW_BUS#接K0；
CEL接K1；
LRW接K2；
CER、LDIR接K3；
LDAR1接K4；
LDAR2接K5。
四、设置功能开关
先置开关DB=0，DZ=0，DP=1，使系统处于单拍状态（每按一次QD按钮，顺序产生T1、T2、T3、T4各一个脉冲）
先将IR/DBUS开关拨到DBUS位置；
先将AR1/AR2开关拨到AR1位置；
五．实验操作演示
使用左端口，向某一存储单元写入数据。（以向地址06H单元写入数据80H为例）
将地址06H写入AR1
置SW_BUS#（K0）=0；CEL#（K1）=1。
按下实验台上电源开关，接通电源。
按下复位按钮CLR#（使实验系统处于初始状态）。
置开关SW7~SW0为00000110B，此数据加至DBUS（数据指示灯显示00000110B）。
置LDAR1=1（k4）；LDAR2（K5）=0。按QD按钮（产生T4），则将DBUS的数据打入AR1，加至左端口的地址线上。此时左端口地址指示灯显示00000110B。
将数据80H写入
先后置LRW（K2）=0（写操作）；CEL#（K1）=0；（片选有效）LDAR1（K4）=0；SW_BUS#（K0）=0；
置开关SW7~SW0为10000000B（80H），按QD按钮（产生T3），则将DBUS的数据（10000000B）写入06H单元。
使用左端口，从某一存储单元读数据。（以读地址06H单元为例）
将地址06H写入AR1（步骤同上）
读数据
先后置sw_bus#（K0）=1；（使sw7~sw0与dbus断开）
Lrw（K2）=1（读操作）；
Cel#（K1）=0；（片选有效）；
Ldar1（K4）=0；
按qd按钮（产生T3），读出的数据送至dbus，dbus的数据指示灯显示10000000B。
使用右端口，从某一存储单元读数据写入IR（以读地址06H单元为例）
将地址06H写入AR2
先后置CEL#（K1）=1；
SW_BUS#(K0)=0;
LDAR2(K5)=1。
置开关SW7~SW0为00000110B，按QD按钮（产生T2），将DBUS的数据打入AR2。此时右端口的地址指示灯显示00000110B（AR1/AR2开关拨到AR2位置）。
从右端读数据
置CER（K3）=1；（右端口读信号）
及LDIR（K3）=1。（写ir）
按QD按钮（产生T4）。从右端口读出数据并写入指令寄存器IR，IR数据指示灯上显示10000000B。（IR/DBUS开关拨到IR位置）
双端口RAMde并行读写冲突测试
置CEL#=0且CER=1，使双端口RAM左、右端口同时被选中。当AR1和AR2的地址不相同时，没有访问冲突；地址相同时，若都是读出操作，也不冲突。
如果左右端口地址相同，且一个进行读操作、另一个进行写操作，则发生冲突。要检测冲突，可用示波器或逻辑笔测试BUSYL和BUSYR插孔（分别是两个端口的“忙”信号输出）。发生冲突时，BUSY为0。
六、实验注意事项
数据总线dbus在任一时刻，只能有一个数据源向它输出。本实验中手动控制信号sw_bus#、cel#严禁同时为0，否则将损坏集成电路芯片！！
使用左端口，向某一存储单元写入数据。当将地址写入ar1后，应置ldar1（K4）=0，避免写数据时，数据同时进入ar1，改变ar1的内容。
七、实验心得体会
要掌握实验原理，不能只是照着资料上的步骤连接。
要正确理解实验步骤，在实验箱上正确操作。
应该大胆的实验，相信自己。